マウザー・エレクトロニクスは、テキサス・インスツルメンツ（TI）社のLMG3410R070 600 V 70 mΩ 窒化ガリウム（GaN）パワーステージの取り扱いを開始した。LMG3410R070は、超低入力/出力容量を備え、産業用 および民生用電源などの高電力密度の電気モーターアプリケーションの新しい要求に応える。高性能のGaNパワーステージは、シリコントランジスタに比べ、より高い電流、温度、電圧、およびスイッチング周波数に対応しながら、スイッチング損失を最大80パーセント低減する。
マウザーより購入可能な、TI社のLMG3410R070 GaNパワーステージは、ゲートドライバと堅牢な保護機能を集積し、シリコンMOSFETやIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）と比較して優れた性能を実現する。LMG3410R070は、コモン・ソース・インダクタンスを取り除き、25～100V/nsのユーザー調整可能のスルーレート、およびmHZ動作での20ns伝播遅延を実現する。この堅牢な デバイスは、150V/ns以上のスルーレート耐性による過電流保護、過温度保護、過渡過電圧耐性のほか、すべての電源レールでUVLO保護を提供する。コンパクトな8mm×8mm QFNパッケージに収納されたLMG3410R070 は、外付けの保護用部品を必要としないため、設計とレイアウトプロセスの簡素化を可能にする。
LMG3410R070は、 KEMET Electronics社のKC-LINK表面実装コンデンサとの併用に非常に適している。LMG3410R070 のような、高速スイッチング半導体の要求に応えるよう設計されたKC-LINKコンデンサは、非常に低い実効直列抵抗（ESR）および熱抵抗を備えているため、機器は高周波で高電圧のDCリンクアプリケーションのストレスに耐えることができる。
LMG3410R070パワーステージが実現するより優れた電力密度により、トーテムポール力率補正のような効率的なトポロジーが実現し、電源サイズを最大50パーセント低減することが可能になる。LMG3410R070 ICは、マルチレベルコンバータ、ソーラインバータ、高電圧バッテリチャージャ、無停電電源装置などのアプリケーションに最適。
