東芝：産業用機器の高効率化・小型化に貢献するSiC MOSFETモジュールの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに新開発のシリコンカーバイト (SiC) MOSFETチップを搭載した電圧定格3300V、電流定格800AのDual SiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を開発しました。2021年5月に量産を開始する予定です。

新製品は、Ag焼結接合技術を適用した取り付け互換性の高いパッケージiXPLV (intelligent fleXible Package Low Voltage) を採用しました。これにより、チャネル温度定格175°Cを実現しました。

鉄道車両向けコンバーター、インバーターなどの電力変換装置、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。

応用機器

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  鉄道車両向けインバータ―・コンバーター
  


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  再生可能エネルギー発電システム
  


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  産業用モーター制御機器
  

新製品の主な特長

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  ドレイン・ソース間電圧定格 : V_DSS=3300V
  


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  ドレイン電流定格 : I_D=800A Dual
  


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  高チャネル温度定格 : T_ch=175°C
  


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  低損失 :
  
  E_on=250mJ (typ.)
  
  E_off=240mJ (typ.)
  
  V_DS(on)sense =1.6 V (typ.)
  


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  低寄生インダクタンス : L_s=12 nH (typ.)
  


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  高パワー密度の小型iXPLVパッケージ
  

新製品の主な仕様

(特に指定のない限り、@Tc=25 °C)
品番			MG800FXF2YMS3
パッケージ			iXPLV
絶対最大定格	ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)		3300
	ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)		+25/－10
	ドレイン電流 ID (A)		800
	ドレイン電流 (パルス) IDP (A)		1600
	チャネル温度 Tch (°C)		175
	絶縁耐圧 Visol (Vrms)		6000
電気的特性	ドレイン・ソース間オン電圧(センス端子) VDS(on)sense typ. (V)	@VGS= +20V、 ID=800A	1.6
	ソース・ドレイン間オン電圧(センス端子) VSD(on)sense typ. (V)	@VGS= +20V、 IS=800A	1.5
	ソース・ドレイン間オフ電圧(センス端子) VSD(off)sense typ. (V)	@VGS= －6V、 IS=800A	2.3
	寄生インダクタンス LSPN typ. (nH)		12
	ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (mJ)	@VDD=1800V、 ID=800A、 Tch=150°C	250
	ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (mJ)	@VDD=1800V、 ID=800A、 Tch=150°C	240

新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

MG800FXF2YMS3

https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=MG800FXF2YMS3

東芝のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。

SiCパワーデバイス

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/product/sic-power-devices.html

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