マウザー・エレクトロニクスは、インフィニオン テクノロジーズ（Infineon）社のCoolGaN窒化ガリウム（GaN）HEMTの取り扱いを開始した。このCoolGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、効率性と電力密度に優れており、パワー半導体の高速スイッチングを実現する。ハードスイッチングおよびソフトスイッチング・トポロジーに対する優れた性能を備え、ワイヤレス充電器、スイッチモード電源（SMPS）、テレコム、ハイパー・スケール・データセンター、サーバなどのアプリケーションに最適だ。
マウザーより購入可能な、Infineon CoolGaN HEMTは、シリコン・スイッチ・デバイスに比べて品質が格段に優れている。本デバイスは、シリコントランジスタに比べて出力電荷とゲート電荷が10倍低く、また絶縁破壊電界が10倍、モビリティが2倍向上している。ターンオン/オフが最適化され、新しいトポロジーと電流変調により、革新的なスイッチングソリューションを実現する。CoolGaN HEMTは、表面実装パッケージの使用により、スイッチング機能が完全に利用可能で、また小型設計により、実装面に制約のある多種多様なアプリケーションでの使用が可能だ。
InfineonのCoolGaN窒化ガリウムHEMTは、評価プラットフォームEVAL_1EDF_G1_HB_GANおよびEVAL_2500W_PFC_Gでサポートされている。EVAL_1EDF_G1_HB_GANボードは、CoolGaN 600 V HEMTとInfineonのGaN EiceDRIVERゲートドライバICを搭載しており、コンバータやインバータアプリケーションにおけるユニバーサル・ハーフ・ブリッジ・トポロジーの高周波GaN機能の評価が行える。EVAL_2500W_PFC_Gボードは、CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS C7 GoldスーパージャンクションMOSFET、およびEiceDRIVERゲートドライバ ICを搭載しており、2.5 kWフルブリッジ力率改善回路（PFC）評価ツールを提供し、SMPSやテレコム整流器など、電力効率が重要となるアプリケーションにおけるシステム効率を99％以上向上する。
