【レポート紹介】
GaN半導体デバイスの世界市場規模は2016年段階で165億ドルと推計され、今後2023年には224億ドル市場に拡大するとレポートでは予測しています。当レポートでは、2023年に至るGaN半導体デバイス市場の世界市場予測（市場規模US$）、デバイスタイプ別市場（光半導体デバイス、パワー半導体デバイス、高周波半導体デバイス）、ウェハーサイズ別市場（2インチ、4インチ、6インチ以上）、用途別市場（パワードライブ、光検出/測距、RF、照明/レーザー）、需要家別市場（通信、インダストリアル、自動車、再生可能エネルギー、コンシューマー/エンタープライズ、軍事防衛/航空宇宙、医療）、主要国地域別市場など、各種の予測指標および分析を提供しています。また市場考察、競合、リーディング企業動向情報なども盛り込み、GaN半導体デバイス市場の現在および今後見通しを検証していきます。
【英文市場調査レポート】
GaN半導体デバイスの世界市場：2023年に至るデバイスタイプ別、用途別予測
Gallium Nitride Semiconductor Device Market by Device Type （Opto, Power, RF）, Wafer Size, Application （Power Drives, Supply and Inverter, RF, Lighting and Laser）, Vertical （Telecommunication, Consumer, Automotive）, and Geography - Global Forecast to 2023
http://researchstation.jp/report/MAM/8/GaN_Semiconductor_Device_2023_MAM838.html
【レポート構成概要】
◆ GaN半導体デバイスの世界市場予測2014-2023年
・市場規模（US$）
◆ デバイスタイプ別、市場-2023年
・光半導体デバイス
・パワー半導体デバイス
・高周波半導体デバイス
※（市場規模US$）
◆ ウェハーサイズ別、市場-2023年
・2インチ
・4インチ
・6インチ以上
※（市場規模US$）
◆ 用途別、市場-2023年
パワードライブ
・EVドライブ
・インダストリアルドライブ
光検出及び測距（LIDAR）
・電源及びインバータ
・スイッチモード電源
・インバータ
・無線充電
・EV充電
RF
・RFフロントエンドモジュール
・リピータ/ブースター/ DAS
・レーダー及び衛星
照明及びレーザー
※（市場規模US$）
◆ 需要家別、市場-2023年
・通信
・インダストリアル
・自動車
・再生可能エネルギー
・コンシューマー及びエンタープライズ
・軍事防衛及び航空宇宙
・医療
※（市場規模US$）
◆主要国地域別市場-2023年
北米
・米国、カナダ、メキシコ
欧州
・英国、ドイツ、フランス
・その他欧州
アジア太平洋
・日本、中国、韓国
・その他アジア太平洋
その他地域
・南米
・中東アフリカ
※ セグメント相互を掛け合わせた細分化データ掲載、詳細は目次参照
◆市場分析
・市場ダイナミクス（ドライバー、障壁、機会、課題）
・競合状況
◆ GaN半導体デバイスの主要企業プロフィール動向
＜主要企業＞
・CREE
・INFINEON
・QORVO
・MACOM
・MICROSEMI
・三菱電機株式会社
・EFFICIENT POWER CONVERSION （EPC）
・GAN SYSTEMS
・NICHIA
・EPISTAR
＜イノベーター＞
・EXAGAN
・VISIC TECHNOLOGIES.
・INTEGRA TECHNOLOGIES.
・TRANSPHORM
・NAVITAS SEMICONDUCTOR
＜その他企業＞
・SAMSUNG
・ANALOG DEVICES
・パナソニック株式会社
・TEXAS INSTRUMENTS
・AMPLEON
・住友電気工業株式会社
・NORTHROP GRUMMAN CORPORATION
・DIALOG SEMICONDUCTOR
・POWDEC
・POLYFET
（全181頁）
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発行元：MarketsandMarketsについて
http://researchstation.jp/Publishers/About_MarketsandMarkets.html
日本販売代理店：リサーチステーション合同会社
取扱い開始：2017年11月10日
★関連レポート
「パワーエレクトロニクスの世界市場：デバイスタイプ別、用途製品別2022年予測」
http://researchstation.jp/report/MAM/4/Power_Electronics_2022_MAM462.html
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