東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --キオクシア株式会社は、電気・電子分野の世界最大の国際学会であるIEEEより、「IEEE Corporate Innovation Award」を受賞しました。これは、当社の低コストで大容量の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の功績が評価されたものです。授賞式は、4月24日に東京で開催されました。
「IEEE Corporate Innovation Award」は、革新的な技術、製品またはサービスを開発し、電気・電子工学分野における進歩に顕著な貢献をした企業に授与される世界的に権威のある賞です。1985年の創設以降、世界有数の電機メーカー、IT企業などが受賞しており、日本企業としては当社が7社目の受賞となります。
当社が2007年に世界で初めて発表した3次元フラッシュメモリ技術は、メモリセルを立体的に配置した3次元構造で、積層数の増加による大容量化と、製造工程数を抑制する加工技術による低コストを両立したものです。現在のフラッシュメモリ市場では、本技術が使用された3次元構造製品が主力となり、スマートフォンやPC、データセンターなど、データを保存するさまざまな用途で使用され、デジタル社会の基盤部品として世界の人々の生活を支えています。今後も、AIの普及により需要の拡大が期待され、多様化する市場のニーズに対応するため、さらなる高性能、低消費電力、大容量を実現する3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」技術の研究開発を加速させます。
キオクシアは、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、イノベーションで新しい時代を切り拓くことを目指し、AIの普及や将来のデジタル社会を支える研究・技術開発を推進するとともに、フラッシュメモリ・SSD事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開してまいります。
3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とは
https://www.kioxia.com/ja-jp/rd/technology/bics-flash.html
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