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トランスフォーム製GaNをDAHソーラーによる世界初の統合型マイクロインバーターPVシステムに搭載



トランスフォームの抜本的に進化したGaNデバイスを使用して、小型化・軽量化したフォームファクタに高い性能と効率を実現する画期的な太陽電池パネルシステム

カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) --次世代電力システムの未来を担う堅牢なGaNパワー半導体のグローバル・リーダーであるトランスフォーム(Nasdaq:TGAN)は、同社の窒化ガリウム(GaN)プラットフォームがDAHソーラー(DAHソーラーの子会社であるAnhui Dahengニュー・エネルギー・テクノロジー)による世界初の統合型太陽光発電(PV)システムを搭載することを発表しました。このPVシステムは、DAHソーラーの新しい「ソーラーユニット」製品ラインで使用されます。DAHソーラーは、トランスフォームのGaN FETを使用することで、より小型、軽量で信頼性が高く、エネルギー消費を抑えながら全体的な発電量も増やすソーラーパネルを製造できると確信しています。設計におけるこの成果が現在GaN総需要5億ドルを上回る再生可能エネルギー市場での価値提案を固めることによって、トランスフォームが「電力スペクトラム全体におけるワン・コアGaNプラットフォーム」というリーダーシップ・ポジションにいることを示し続けます。




DAHソーラーは、ソーラーユニットの設計アーキテクチャ(DC-DCおよびDC-ACパワーステージの両方)でトランスフォームの150mΩおよび70mΩのGaN FETを使用しています。ソーラーユニットは出力電力800W、920W、1500Wの3モデルを用意しており、ピーク効率はそれぞれ97.16%、97.2%、97.55%です。GaNデバイスは、既存のシリコン・ソリューションよりも高いスイッチング周波数と電力密度を備えています。特筆すべきは、一般的に使用されるゲートドライバと組み合わせたPQFN88パフォーマンス・パッケージで2つのFETが利用でき、DAHソーラーの設計時間を短縮するのに役立っているということです。


DAHソーラーのゼネラルマネジャーであるYong Guは次のように述べています。「当社には、革新的な太陽光発電製品の製造に関して強固な遺産があります。そのため、最先端の技術で当社の製品を進化させ、さらに優れた、効率的なエンドユーザー体験を作り出す方法を常に探しています。トランスフォームはGaN製造における権威だと考えており、その高度なGaN FETが当社のソーラーユニット製品ラインに最適なデバイスであると気づきました。デザイン・インが簡単で優れた性能を持つデバイスにより、当社の遺産を引き続き構築できます。」


GaN業界初のさらなる実績


トランスフォームは現在、きわめて広範な電力アプリケーションで最も幅の広い電力変換要件(45W〜10kW以上)に対応しています。同社のFETポートフォリオには、650Vおよび900Vのデバイスが含まれており、1200Vのデバイスは現在開発中です。これらのFETはJEDECとAEC-Q101の認定を受けており、電源アダプターやコンピューター電源ユニットから、さまざまな工業用UPSや電気自動車のモビリティ・システムまで、あらゆる用途に最適なソリューションです。


同社の技術革新は、GaNパワー半導体業界全体に継続的に新しい基準を築き続けています。同時に、同社は顧客がDAHソーラーのPVシステムのような市場初の破壊的アプリケーションを投入できるよう支援します。これらの実績は、カスコードのdモード構成を使用してGaN本来の利点を活用する、トランスフォームのノーマリオフ型「SuperGaN®」プラットフォームによるものです。この高性能GaNプラットフォーム設計の優れた物理特性により、より運転、設計がしやすくなり、信頼性が向上し、製造が大幅に容易になるなど、競争力の面で比類のない利点がもたらされます。


「トランスフォームのGaNプラットフォームがさまざまなアプリケーションにもたらす価値は、DAHソーラーなどの市場リーダーにより継続的に実証されています。」とトランスフォームのアジア販売担当バイスプレジデントであるケニー・イムは述べています。「太陽光インバーターやその他高電力のアプリケーションには、過酷な環境で数十年の運用に耐えられる、信頼性と性能が高いパワー半導体が必要です。トランスフォームのSuperGaN技術を使用すると、電力損失が削減され、他のデザイン・イン部品への熱ストレスを最小限に抑えられます。これは、代替のGaNおよびシリコンのソリューションに対する驚異的な成果であり、当社のGaNが次世代電源システムにもたらす恩恵を強調するものです。」


デバイスと製品に関する情報


市場をリードするトランスフォームのGaNデバイス・ポートフォリオの詳細については、https://www.transphormusa.com/en/products/をご覧ください。


DAHソーラーの画期的な統合型PVシステムの詳細については、https://www.dahsolarpv.com/#parentHorizontalTab022をご覧ください。


トランスフォームについて


GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーションのための高性能で信頼性の高いGaN半導体を設計、製造しています。トランスフォームは1,000件を超える占有特許またはライセンス特許を含む、最大級のパワーGaN IPポートフォリオを有しており、業界初のJEDECおよびAEC-Q101の認定を受けた、高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。当社の垂直統合型デバイス事業モデルは、設計、ファブリケーション、デバイス、アプリケーション・サポートなど、あらゆる開発段階において革新を可能にします。当社のイノベーションは、パワーエレクトロニクスをシリコンの限界を超えて機能させ、99%超の効率、50%高い電力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を置き、ゴリータと会津で製造事業を行っています。詳しくは、www.transphormusa.comをご覧ください。Twitterで@transphormusa、WeChatで@Transphorm_GaNをフォローしてください。


DAHソーラーについて


DAHソーラーは太陽光発電製造において、イノベーション主導で技術をリードする企業です。DAHソーラーは大切なお客様に、効率性の高いPVモジュール、高品質の太陽電池、ハイテク統合ソーラー・システム、高い価値を持つエネルギー貯蔵を提供します。DAHソーラーは4か所のハイテク工場を構えており、2023年の半年間で太陽電池容量2GW、5GWのPVモジュール(2.5GWのTOPCon PVモジュール)、3.5GWのTOPCon太陽電池を製造できるように支えています。DAHソーラーの革新的製品「フルスクリーンPVモジュール」は、18の国と地域で国際特許を取得しています。詳しくは、https://www.dahsolarpv.comをご覧ください。


SuperGaNのマークはトランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。


本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。


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Heather Ailara

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heather.ailara@transphormusa.com


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