住友電工は、エピタキシャル層に含まれる欠陥を極限まで低減したSiCパワーデバイス用エピタキシャル基板 「EpiEra®」の生産・販売を開始した。
パワーデバイスは電力制御を目的とした半導体デバイスで、電力、鉄道、自動車、家電などの様々な分野で使われており、近年は、より高効率でエネルギーロスの少ないパワーデバイスが求められている。
そのなかでもSiC（炭化ケイ素）は、パワーデバイスの低損失・高効率・小型化を可能にする点で最も注目されている材料のひとつだ。
住友電工はSiCパワーデバイスの基盤材料であり、その性能・信頼性に大きく影響を与えるSiCエピタキシャル基板の開発を進めてきた。
住友電工は、長年培ってきた化合物半導体の技術に加え、高精度シミュレーションなどを取り入れた当社独自技術の 「MPZ」（Multi-Parameter and Zone controlled SiC Growth Technologyの略。 SiC成長過程に応じてシミュレーションも活用し、温度や圧力などの種々のパラメータを高精度に制御する住友電工独自のSiC成長技術）を活用し、4インチ（100mm径）及び6インチ（150mm径）の高品質SiCエピタキシャル基板「EpiEra」の製品化に成功し、量産を開始した。
「EpiEra」は表面欠陥や基底面転位が存在しない領域の面積率（DFA率）において、業界最高レベルの99%以上を達成している。これにより、SiCパワーデバイスのさらなる品質の向上と安定化が見込まれる。
