200mm SiCウエハー対応 SiCエピタキシャル膜成長装置「ＰＥ-1○8 （イチマルハチ）」 2020年12月11日より日本でのテストマーケティング開始

半導体製造装置の開発を行うイタリア企業のLPE（エルピーイー）S.p.A（本社：伊・ミラノ、代表： Franco Preti-フランコ・プレッティ-、以下LPE社）は、200mmのSiCウエハーに対応したSiCエピタキシャル膜成長装置ＰＥ-1○8（ピーイーイチマルハチ）のテストマーケティングを2020年12月11日より開始します。それに伴い、同日から開催されるセミコンジャパン2020バーチャル展示会に出展します。

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LPE社が提供する装置は、新幹線や電気自動車（EV）に使用される次世代パワーデバイスとして注目されているSiC （※1）パワー半導体の成膜装置（※2）です。昨年11月に量産向け自動搬送機能がついた新製品PE1○6 Aを日本市場で販売開始しました。このほど開発が完了したＰＥ-1○8は、ＰＥ-1○6Ａのもつ省スペース、高品質エピ膜成長プロセス、優れたＣＯＯ（※3）といった特徴をさらに進化させました。さらに長年の技術開発に基づいた最新のチャンバー設計を取り入れ、今後拡大が予想される200mmSiCウエハに対応した性能を備えています。

ＬＰＥはヨーロッパではじめてエピ装置を開発したパイオニアであり、パワー半導体向けエピ成膜装置において、世界で唯一の専業メーカーです。1972年にヨーロッパで第一号のエピ装置を開発、2001年にSiCエピ成膜装置開発開始しhました。2010年から、ヨーロッパのＳｉＣ関連企業が参加する200mmSiCプロジェクト「ENIAC-LASTPOWER（※3）」にエピタキシャル成膜装置メーカーとして参画し、ＰＥ-108のコア技術を開発してまいりました。同プロジェクトは2020年に終了し、性能検証が終了したことから、ＬＰＥとして200mmSiCウエハー対応の装置ＰＥ-1○8の販売を開始するものです。市場におけるテストの実績はヨーロッパでのプロジェクトの他、アメリカで３カ所で実施しています。アメリカでは2020年12月にさらに1カ所がのテスト運用が開始される予定です。これらの実績を受け、このたび日本でもテスト販売開始を決定いたしました。

ＬＰＥでは、イタリアのカターニアに自社のウエハ評価用装置を設置し、日本のお客様にさまざまなテストデータをご提供すると同時に日本のお客様と一緒に最適な日本へのローカライズを実現したいと考えていいます。
ＰＥ-108は、日本でのテスト販売期間終了後の2021年に正式販売開始を見込んでいます。

※1 SiC:炭化ケイ素。従来のSi（シリコン）半導体より高耐圧、低損失を誇ります。この結果、電力変換損失を3分の一程度にでき（製品により変動）、次世代モビリティとしてのEVや電車、家電等の省エネ、小型化に寄与するデバイスとして多いに期待される素材です。

※2 成膜装置: SiCウエハー上に高品質のエピタキシャル膜を形成するための装置です。

※3 Large Area silicon carbide Substrates and heTeroepitaxial GaN for POWER device applications の頭文字をとって名付けられたプロジェクト名です。

（会社概要）
名称：LPE S.p.A
代表: Franco Preti
設立：1972年
本社： Via Falzarego 8, Baranzate 20021, MILAN Italy
Tel.: [phone] FAX: [phone]
Mail: [e-mail] URL：http://www.lpe-epi.com
業務内容：半導体製造装置の開発、製造、販売
拠点：ミラノ、カターニア
日本代理店　巴工業株式会社　化学品本部開発部

【本リリースに関する問合せ先】
広報担当：　田熊（アルゴMS）
Mail：[e-mail]
TEL：[phone]
FAX：[phone]






配信元企業：LPE　S.p.A
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