東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --キオクシア株式会社は、FMS: the Future of Memory and Storage（以下、FMS）において、当社従業員が「Lifetime Achievement Award」を受賞したことを発表しました。
本賞は、フラッシュメモリおよび関連技術の開発と利用促進において優れたリーダーシップを発揮した個人に対して贈られる賞で、この度、3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™における先駆的な業績が認められました。8月に米国サンタクララにて開催されるFMS会期中の表彰式で授与される予定です。
3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™は、先進的なスマートフォン、PC、SSD、データセンター、AI、産業用など、幅広いコンピューティング・アプリケーションに搭載されています。メモリセルを垂直に積層する画期的な技術により、大容量化、高性能化を実現し、信頼性と効率性を維持しながら、より高密度のストレージソリューションを可能にし、平面構造のNAND型フラッシュメモリの限界を克服しました。
受賞者
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FMS主催者Chuck Sobey（チャック ソビー）のコメント
「キオクシアの3次元フラッシュメモリにおける革新は、単なる既存技術の発展であったデータストレージを、現代のコンピューティングの要求に応える画期的なソリューションへ変貌させました。私たちは、この重要な貢献を紹介できることを喜ばしく思うとともに、未来がどのように展開していくのかを楽しみにしています。」
メモリ事業部長兼メモリ技師長 井上敦史のコメント
「キオクシアの3次元フラッシュメモリにおける技術革新は、フラッシュメモリのセル、ダイ、パッケージあたりのストレージ密度を大幅に増加させ、業界に新しいパラダイムを創り出しました。私たちの成果が評価されたことを嬉しく思うと同時に、今後も業界に絶え間ない影響を与えていきたいと思います。」
先端メモリ開発センター技監 勝又竜太のコメント
「技術的な成果だけでなく、イノベーションや周囲の技術者への支援を通して、この分野の発展に尽力しているキオクシアのエンジニア達から刺激を受けています。私たちはイノベーションとコラボレーションの精神を育んできました。この度、私たちのリーダーシップとビジョンが認められとても喜ばしく思います。」
尚、本技術は令和2年度全国発明表彰「恩賜発明賞」、令和5年度科学技術分野の文部科学大臣表彰「科学技術賞（開発部門）」、2021 IEEE Andrew S. Grove Awardを受賞しています。
当社は今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、世界の人々に価値をもたらす研究・技術開発を続けていきます。
＊記載されている社名・商品名・サービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
Contacts
本資料に関するお問い合わせ先：
キオクシア株式会社
コーポレートコミュニケーション部
山路 航太
Tel: 03-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com
