同展のシルバー・パートナーとして、ウェルトレンド・セミコンダクター（偉詮電子）との新たなSiPを紹介するほか、生産中の顧客製品、競争力のあるGaNアプリケーション向け代替ソリューションを展示し、SuperGaN技術の力を参加者の手元に届ける贈呈品も配布
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、2023年アプライド・パワー・エレクトロニクス・カンファレンス（APEC）にシルバー・パートナーとして出展し、その展示で広範囲（低電力から高電力）GaN電力変換における当社の継続的な先導的役割を明確に示すことになると発表しました。参加者はぜひ、3月19日～23日の同展中にトランスフォームの853番ブースまでお越しください。
トランスフォームは今年、先日発表したWT7162RHUG24Aデバイスを展示します。このデバイスは、すでに包括的で柔軟性のある当社のFETのポートフォリオを完全なものにするために、ウェルトレンド・セミコンダクターと開発した新しいSuperGaN®システムインパッケージ（SiP）です。このデバイスにより、お客さまは必要な部品点数とシステム全体の費用を削減しながら、トランスフォームの高性能GaNプラットフォームによって簡単かつ迅速に設計する機会をまた1つ増やすことになります。
トランスフォームはまた、さまざまな市場を代表する世界一流ブランドの顧客から受注した生産中の新製品も展示します。APEC参加者は、既存のGaNパワーアプリケーションの容易な交換／代替ソリューションについて知ることもできます。トランスフォームはさらに、そのGaN技術を活用して市場を一変させる性能を実現した消費者向け製品も抽選で無料配布します。
1つのコアプラットフォームで広い電力範囲をカバー
トランスフォームはGaNパワー半導体の一流企業であり、次の技術的特長によって他とは一線を画しています。
製造性：EPI設計、ウエハープロセス、FETダイ設計を自社で行う垂直統合型。
設計性：ファームウエア（マイクロチップ・テクノロジー）やハードウエア統合（ウェルトレンド・セミコンダクター）で有名な世界的リーダー企業と提携しながら、知名度の高い業界標準のパッケージや高性能パッケージを提供し、容易なデザインインを実現。
駆動性：提供するデバイスはシリコン並みの駆動が可能で、外付け回路を最小限に抑えながら、既製品のコントローラーやドライバーと組み合わせ可能。
信頼性：低電力から高電力のアプリケーションにおいて、1000億時間以上の実稼働で0.05未満の時間当たり故障率（FIT）を現時点で達成し、業界のけん引役を維持。
トランスフォームは今日、最も幅広い種類の電力アプリケーションにおいて、最も広範囲の電力変換要件（45Wから10kW超）をサポートしています。当社のFETポートフォリオには650Vと900Vのデバイスが含まれており、1200V（複数）のデバイスも開発中です。これらのデバイスはJEDECとAEC-Q101に準拠しており、電源アダプターやコンピューター用PSUから、幅広い産業用UPSや電気自動車モビリティーシステムまでにとって、最適なソリューションとなっています。APECで展示する複数の組み合わせの顧客製品は、トランスフォームのSuperGaNプラットフォームの有用性の高さを浮き彫りにしています。
贈呈品の配布：「パワフルさを維持しながら小型」の65Wヒューレット・パッカード製ラップトップパソコン用USB-C充電器
ブース来場者には、同時急速充電が可能な2つのポートを搭載した「小さいながらもパワフル」なGaNベースのHP USB-C PD／PPS電源アダプター贈呈の機会をご用意します。このHP製ラップトップパソコン用充電器には、トランスフォームの650V GaN FETであるSuperGaN Gen IV TP65H300G4LSGが採用されています。
講演予定
トランスフォームの専門家が、次の講演を行います。
「EVアプリケーション用高出力650V／1200V GaNデバイス」
産業セッション（IS03）、3月21日午前8時30分
講演者：Davide Bisi、最高技術責任者（CTO）室技術スタッフ
「900V GaN - 信頼性のための設計」
産業セッション（IS12）、3月22日午前9時20分
講演者：Dr. Likun Shen、エンジニアリング担当バイスプレジデント
面談をご希望の方へ
同展での面談の予約については、vipin.bothra@transphormusa.comまでお問い合わせください。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
SuperGaNマークは、トランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者に帰属します。
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