川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けにシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2品種、耐圧1200V、ドレイン電流定格600Aの「MG600Q2YMS3」と、耐圧1700V、ドレイン電流定格400Aの「MG400V2YMS3」を製品化し、量産を開始しました。
新製品MG600Q2YMS3とMG400V2YMS3は、当社初の1200V、1700V耐圧の SiC MOSFETモジュールで、先行リリースしたMG800FXF2YMS3と合わせて、耐圧1200V/1700V/3300Vのラインアップとなります。また、一般的なシリコン (Si) IGBTモジュールと同パッケージのため、取り付け互換があります。さらに、一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現しており、鉄道車両向けインバーターやコンバーター、再生可能エネルギー発電システムなど産業用機器の高効率化や小型化に貢献します。
応用機器
- 鉄道車両向けインバーター・コンバーター
- 再生可能エネルギー発電システム
- モーター制御機器
- 高周波絶縁DC-DCコンバーター
新製品の主な特長
- 一般的なSi IGBTモジュールと取り付け互換のあるパッケージ
- 一般的なSi IGBTモジュールと比べて低損失特性を実現
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense =0.9V (typ.) @ID=600A、Tch=25°C
Eon=25mJ (typ.)、Eoff=28mJ (typ.) @VDS=600V、ID=600A、Tch=150°C
MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V (typ.) @ID=400A、Tch=25°C
Eon=28mJ (typ.)、Eoff=27mJ (typ.) @VDS=900V、ID=400A、Tch=150°C
- サーミスター内蔵
新製品の主な仕様
（特に指定のない限り、@TC=25°C) | ||||
品番 | ||||
東芝パッケージ名称 | 2-153A1A | |||
絶対 最大定格 | ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V) | 1200 | 1700 | |
ゲート・ソース間電圧 VGSS (V) | +25/－10 | +25/－10 | ||
ドレイン電流 (DC) ID (A) | 600 | 400 | ||
ドレイン電流 (パルス) IDP (A) | 1200 | 800 | ||
チャネル温度 Tch (°C) | 150 | 150 | ||
絶縁耐圧 Visol (Vrms) | 4000 | 4000 | ||
電気的 特性 | ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) VDS(on)sense typ. (V) | @VGS =+20 V、 Tch＝25°C | 0.9 @ID＝600A | 0.8 @ID＝400A |
ソース・ドレイン間オン電圧 (センス端子) VSD(on)sense typ. (V) | @VGS =+20 V、 Tch＝25°C | 0.8 @IS＝600A | 0.8 @IS＝400A | |
ソース・ドレイン間オフ電圧 (センス端子) VSD(off)sense typ. (V) | @VGS =－6 V、 Tch＝25°C | 1.6 @IS＝600A | 1.6 @IS＝400A | |
ターンオンスイッチング損失 Eon typ. (mJ) | @Tch=150°C | 25 @ VDS=600V、 ID=600A | 28 @VDS=900V、 ID=400A | |
ターンオフスイッチング損失 Eoff typ. (mJ) | @Tch=150°C | 28 @ VDS=600V、 ID=600A | 27 @VDS=900V、 ID=400A | |
サーミスター 特性 | サーミスター定格抵抗 Rtyp. (kΩ) | 5.0 | 5.0 | |
サーミスターB定数 B typ. (K) | ＠TNTC=25~150°C | 3375 | 3375 | |
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
MG600Q2YMS3
MG400V2YMS3
当社のSiCパワーデバイスについては下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス
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