Silanna Semiconductorとトランスフォームがクラス最高の65W USB-C PD GaNアダプター参照設計を開発

トランスフォームのGaNベースソリューションは、画期的な30W/in³の電力密度と94.5%の効率を実現

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアでグローバルサプライヤーのトランスフォーム (OTCQB: TGAN)と電力密度技術のリーダー企業であるSilanna Semiconductorは本日、世界クラスのGaNパワーアダプター参照設計を発表しました。このソリューションはオープンフレームの65W USB-Cパワーデリバリー（PD）充電器で、トランスフォームのSuperGaN® Gen IVプラットフォームと、Silanna Semiconductorの専有的なアクティブ・クランプ・フライバック（ACF）PWMコントローラーを組み合わせたものです。これらの技術を組み合わせることで、電力密度30W/in³（uncased）で94.5%という前例のないピーク効率を達成できます。これらの性能レベルは、シリコンスーパージャンクションMOSFETやeモードGaNトランジスターを使用した現在の市販競合ソリューションを上回っており、さらにトランスフォームのより小型のGaN FETを使用しています。Silanna Semiconductorとトランスフォームの汎用GaNアダプター設計は、ラップトップ、タブレット、スマートフォン、その他のIoTデバイスへの給電に最適です。

クラス最高の技術でクラス最高の性能を実現

この新しい参照設計は、トランスフォームおよびSilanna Semiconductorの両社の先進技術に依拠しています。このSuperGaN FETはトランスフォームのTP65H300G4LSGで、業界標準のPQFN88パッケージに収められた650V 240mΩのデバイスとなります。これが活用しているSuperGaN Gen IVプラットフォームは、高度なエピ技術および特許取得済み設計技術を用いて性能を向上させています。この堅牢なGaN FETは、業界最高のゲート堅牢性など、トランスフォームの代名詞となっている高い信頼性を提供します。また、eモードデバイスとは異なり、追加のバイアスレールやレベルシフターなどの外部保護回路が不要で、高効率を生み出せる利点があります。これらおよびその他の特徴が全体として、アダプターシステム全体の電力密度を高め、BOMコストを削減することができます。

Silanna SemiconductorのSZ1130は世界初の完全統合型ACF PWMコントローラーであり、適応型デジタルPWMコントローラー、アクティブクランプFET、アクティブ・クランプ・ゲート・ドライバー、UHVスタートアップレギュレーターを統合しています。ACFソリューションとして、競合する擬似共振（QR）コントローラーよりも高い性能を発揮し、市販の全ACFコントローラーの中で最小のPCB面積にて最も簡素な設計を実現しています。技術の違いに左右されないSilanna Semiconductorの設計は、電力管理上の究極の課題に切り込むものであり、クラス最高の電力密度と効率を実現することで、お客さまは前例のないBoMの削減に喜んでいます。

トランスフォームのフィールドアプリケーション／テクニカルセールス担当バイスプレジデントのTushar Dhayagudeは、次のように述べています。｢トランスフォームとSilanna Semiconductorは、当社のSuperGaN®デバイスとSilanna Semiconductorの新規の高集積アクティブ・クランプ・フライバック・コントローラーを組み合わせることで、GaNベースの完全なリファレンスソリューションでクラス最高の性能をUSB-C PDアダプターのお客さまに提供します。当社のGaN FETは、特に競合他社のeモードGaNや集積化GaN ICソリューションと比較して、AC／DCチャージャーの効率、電力散逸、サイズを改善することで知られています。両社の提携は革新企業2社を組み合わせるという強力なものであり、世界中の電源アダプターへのGaNの採用に好影響を与えるでしょう。」

Silanna Semiconductorのマーケティング担当ディレクターであるAhsan Zamanは、次のように述べています。｢当社のACFコントローラーは汎用性があり、充電器メーカーがそれぞれ望ましいとするFET技術を選択できるようにするための設計の柔軟性を提供します。当社のACFコントローラーは、当社のSZ1130とトランスフォームのTP65H300G4LSGの組み合わせで94.5%の効率を実現しており、業界をリードする性能を達成しています。Silanna Semiconductorは、当社の知識と専門性をテクノロジーエコシステムパートナーと組み合わせることで、クラス最高の効率と電力密度の成果をさらに前進させ、世界で最も革新的な製品を幾つか提供できることに大変感激しています。」

提供について

65W USB-C PD GaN電源アダプターの参照設計の回路図、設計ファイル、部品表は、両社がそれぞれの下記名称にて提供しています。

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  Silanna Semiconductor：RD-19 (お問い合わせ先：[e-mail])
  


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  トランスフォーム：TDADP-SIL-USBC-65W-RD（ファイルのダウンロードはこちらから）
  

Silanna Semiconductorについて

電力密度技術のリーダー企業。クラス最高の電力密度と効率性能という電力管理上の究極の課題を達成しており、その前例のないBoM削減にお客さまは喜んでいます。Silanna SemiconductorのAC/DCおよびDC/DCの電力変換ICは、最新のデジタルおよびアナログの制御技術やデバイス技術を活用して、トラベルアダプター、ラップトップアダプター、アプライアンス用電源、スマートメータリング、コンピューティング、ライティング、産業用電源、ディスプレー用電源における重要な革新を推進しています。世界規模のエンジニアリングセールス部門に加え、各地域のデザインセンターやオンラインツールがお客さまをサポートします。「パワー・デンシティー・ヒーロー」は、お客さまが必要とする電力を入力すると、設計図、回路図、部品表（BOM）が即座に入手できるオンライン設計ツールです。アジア卓越センター（ACE）には、パワーシステムエンジニアの専門チームがあり、お客さまのアプリケーション特有の設計ニーズをサポートしています。カリフォルニア州サンディエゴに本社を置くSilanna Semiconductorは非公開の半導体企業で、世界規模の施設でお客さまをサポートしており、北米、欧州、アジア、オーストラリアにデザインセンターや事業所を構えています。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（TransphormGaN）で当社をフォローしてください。

SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標は各所有者の財産です。

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