東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、80V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「U-MOS X-H(ユー・モス・テン・エイチ)シリーズ」を発売しました。表面実装タイプパッケージSOP Advance採用の「TPH2R408QM」、TSON Advance採用の「TPN19008QM」をラインアップし、本日から順次出荷を開始します。
最新世代プロセス「U-MOS X-Hシリーズ」80V耐圧製品は、従来世代プロセス「U-MOS VIII-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性[注1]のトレードオフを改善[注2]しました。これにより、業界トップ[注3]の低損失を実現しました。
当社は、今後も損失を低減する製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
応用機器
スイッチング電源 (高効率AC-DCコンバーター、高効率DC-DCコンバーターなど)
モーター制御機器 (モータードライブなど)
新製品の主な特長
業界トップ[注3]の低損失を実現 (オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善[注2])
業界トップクラス[注3]の低オン抵抗 :
RDS(ON)=2.43mΩ (max) @VGS=10V (TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ (max) @VGS=10V (TPN19008QM)
高いチャネル温度定格 : Tch=175℃
新製品の主な仕様
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[注1] ゲート入力電荷量、ゲートスイッチ電荷量、出力電荷量
[注2] TPH2R408QMの場合、既存製品TPH4R008NH (U-MOS VIII-Hシリーズ) と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗xゲート入力電荷量を約15%改善、ドレイン･ソース間オン抵抗xゲートスイッチ電荷量を約10%改善、ドレイン･ソース間オン抵抗x出力電荷量を約31%改善。
[注3] 2020年3月30日現在。当社調べ。
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM
当社の12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html
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