東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。
本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。
また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
応用機器
・車載向け リレー、ソレノイド駆動用
・産業向け リレー、ソレノイド駆動用
・OA機器向け クラッチ駆動用
新製品の主な特長
・誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
・3.0V低電圧動作
・AEC-Q101適合
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項目
| 特性 | |||||
絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧
| 60 | ||||
ゲート・ソース間電圧
| ±12 | |||||
ドレイン電流
| 0.65 | |||||
電気的特性 |
| |VGS|=3.0V | 1200 | |||
|VGS|=5.0V | 800 | |||||
ゲート入力電荷量
| 1.5 | |||||
入力容量
| 43 | |||||
パッケージ | SOT-23F | 2.9mm×2.4mm;t=0.8mm | ||||
当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
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