トランスフォームのマルチキロワット級パワーFETのSuperGaN Gen IVが車載適格性確認を取得
高電圧・高出力GaNの分野でリーダーシップを発揮して数十億ドル規模の市場を狙うデバイス
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性高性能窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（OTCQX：TGAN）は本日、当社の主力製品である35 mΩデバイスのSuperGaN® Gen IVが、車載電子部品評議会（AEC）による車載用ディスクリート半導体のAEC-Q101ストレステストを成功裏に完了したと発表しました。この成果は当社にとって車載適格性確認を取得した製品ラインとして3つ目となります。
前世代のGen IIIと同様、Gen IV TP65H035G4WSQAデバイスは175度までの温度で適格性が確認されました。このジャンクション温度はシリコンMOSFETで適格性が確認された温度よりも25度高く、他のGaNソリューションではまだ達成されていない温度であり、中には125度までしか確認されていないものがあります。
オムディアの上級主任アナリストであるリチャード・エデン氏は、次のように述べています。「トランスフォームは、GaNプラットフォームの世代を重ねるごとに、デバイスの性能、電力密度、製造可能性を向上させるとともに、デバイスの価格を引き下げてシリコン製デバイスの価格に近づけてきました。自動車市場ではGaN技術の利点に関心が高まり始めており、AEC-Q101の適格性確認を受けた強力なGaNポートフォリオを持つトランスフォームなら、その採用を促進することができます。数十億ドル規模の自動車市場でGaNトランジスターを早期に採用すれば、2025年までに1億ドルを超える可能性があると、オムディアは考えています。」
高電圧GaNソリューションは、電気自動車（EV）が抱える幾つかの問題を積極的に解決します。例えば、GaNは電気自動車のバッテリーからドライブトレインへの電力変換効率を高め、同じ走行距離であればより小型のバッテリーの使用が実現し、同じサイズのバッテリーであればより長い走行距離が実現します。これにより走行距離に関する不安が軽減されます。
また、GaN FETは高い周波数で動作するため、電力密度が高く、システムの小型・軽量化につながります。これらの利点は、車載充電器（OBC）、DC-DCコンバーター、メイントラクションインバーターに恩恵をもたらすとともに、バッテリーの走行距離の延長や充電の高速化にも貢献します。特に取り上げたこれら3つの極めて重要なシステムは、バッテリー電気自動車（BEV）を駆動するだけでなく、正しく機能させるためのものでもあり、GaNはそのすべてで役割を果たします。
TP65H035G4WSQAデバイスの特徴
AEC-Q101の適格性確認を受けたTP65H035G4WSQA FETは、熱的に優れた業界標準のTO-247パッケージで35 mΩの標準オン抵抗を実現します。このパッケージ構成は、eモードGaNのどのバージョンでも利用できないものです。当社の特許取得済みSuperGaN技術により、このデバイスは次の機能も提供します。
TO-247パッケージを用いた同様の比較において、SiCと比較して電力損失を27～38%削減し、性能指数（RON*QOSS）を改善したことにより、よりフラットで高い効率曲線を実現。
パッケージのインダクタンスを低減することで、よりソフトなスイッチングを実現し、電磁干渉（EMI）の低減に貢献。
ノイズ耐性の向上（閾値電圧4V）により、閾値電圧2V未満の他のGaN技術が大電力システムで影響を受けやすいゲートトランジェントによる散発的なターンオンを解消。
業界最高のゲート堅牢性（±20V）。
これらの利点により、eモードなどの他のGaNデバイスが求めるものと比べて、より静かなスイッチングと高電流レベルでの高い性能を最小限の外部回路で実現し、電力密度、信頼性、システムコストの効率を最大限に高めます。
自動車分野の世界有数の独立グローバルサプライヤーであり、トランスフォームの戦略的パートナーでもあるマレリの最高技術・革新責任者（CTIO）を務めるヨアヒム・フェッツァー氏は、次のように述べています。「当社は、GaNパワー半導体が当社の自動車用電動パワートレインソリューションにおける主要な差別化要因と考えています。当社がトランスフォームと提携し、投資を行っているのは、品質や信頼性、製造に対するトランスフォームの傾倒ぶりが、今日の他のどのGaNサプライヤーも並ぶものがない、とみているからです。トランスフォームのSuperGaN Gen IVデバイスが車載適格性確認を取得したことで、まさにその証明がまた1つ増えました。当社のアプリケーションにとって費用対効果が高くて高性能なソリューションであり、性能や効率の面だけでなくシステム全体の優位性においても、競争力を獲得することができます。私たちは、トランスフォームと共に、より信頼性の高い電力をリーズナブルな価格でお客さまにお届けすることを目指しています。」
提供時期について
AEC-Q101適格性確認を達成したトランスフォームのTP65H035G4WSQA FET は、12月上旬に提供します。このデバイスは、現時点でデジキーおよびマウザーで販売されているJEDEC適格性確認済み先行モデルとなるTP65H035G4WSを基盤としています。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者の財産です。
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