シリコンベースの設計の多くは今や効率、システムコスト、応用の革新性において限界を迎えています。高電圧SiCならこれらの限界を超えられる事は分かっていましたが、3.3 kV SiCパワーデバイスの選択肢は限られていました。今回Microchip社は3.3 kV MOSFETおよびショットキー バリアダイオードを、700/1,200/1,700 Vダイ、ディスクリート、モジュール、デジタル ゲートドライバを含む既存のSiCソリューションに追加しました。
今回発表した3.3 kV SiCパワーデバイスは、ON抵抗が業界最小レベル（25 mΩ）のMOSFETと、電流定格が業界最大レベル（90 A）のショットキー バリアダイオードです。どちらもダイとパッケージで提供いたします。これらの製品を使う事で、従来よりもシンプルで大きな電力、少ない部品点数で、小型、軽量、高効率のパワー ソリューションを設計できます。
「Microchip社は、お客様のシステムの革新と最終製品の競争力の向上に大きく貢献する開発に重点的に取り組んでいます」とMicrochip社ディスクリート製品部門副社長のLeon Grossは述べています。「3.3 kV SiCパワーデバイスを使うと簡単、迅速、確実に高電圧SiCに移行する事ができ、シリコンベースの設計よりも優れた技術の恩恵を享受できます。」
Microchip社は、各種アプリケーション要件を満たす電圧、電流、パッケージが見つかるように、この3年間で多数のSiCパワーデバイスおよびソリューションを発表してきました。全てのMicrochip社製SiC MOSFETおよびショットキー バリアダイオードは信頼性を最優先に設計されており、業界最高レベルの耐久性と信頼性を備えています。お客様がMicrochip社製品を必要とし、Microchip社がそれらを製造できる限り、Microchip社はそれらの製品を製造し続けます。
Microchip社の8/16/32ビットMCU、電源管理デバイス、アナログセンサ、タッチおよびジェスチャ コントローラ、無線接続ソリューション等と組み合わせると、より少ないコストで完全なシステム ソリューションを開発できます。
開発ツール
3.3 kV SiC製品はMicrochip社MPLAB（R） MindiTMアナログ シミュレータ モジュールと互換の各種SiC SPICEモデル、ドライバボード リファレンス デザインでサポートされています。Intelligent Configuration Toolを使うと、Microchip社のAgileSwitch（R）デジタル ゲートドライバ向けに高効率SiCゲートドライバ回路のモデル化が可能です。
在庫/供給状況
3.3 kV SiCダイおよびディスクリート デバイスは本日より受注を開始いたします。詳細はMicrochip社の正規代理店にお問い合わせ頂くかMicrochip社オンラインストア（MOSFET（https://www.microchip.com/en-us/product/MSC025SMA330）、SBD（https://www.microchip.com/en-us/product/MSC090SDA330））をご覧ください。
リソース
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● アプリケーション画像: https://www.flickr.com/photos/microchiptechnology/51903694879/sizes/l/
Microchip Technology社について
Microchip Technology社（以下、Microchip社）はスマート、コネクテッド、セキュアな組み込み制御ソリューションのトッププロバイダです。使いやすい開発ツールと包括的な製品ポートフォリオにより、リスクを低減する最適な設計を作成し、総システムコストの削減、迅速な商品化を実現できます。Microchip社は産業、車載、民生、航空宇宙と防衛、通信、コンピューティングの市場で120,000社を超えるお客様にソリューションを提供しています。Microchip社は本社をアリゾナ州チャンドラーに構え、優れた技術サポート、確かな納期、高い品質を提供しています。詳細はMicrochip社ウェブサイト（http://www.microchip.com/）をご覧ください。
詳細については、以下にお問い合わせください。
Daphne Yuen （Microchip社）: daphne.yuen@microchip.com
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配信元企業：マイクロチップ・テクノロジー・ジャパン株式会社
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