モバイル機器の大容量化に貢献
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --キオクシア株式会社は、QLC (Quadruple-level cell、4ビット/セル)技術を採用した新しいUFS[注1] 4.1組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始しました。新製品は、キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを搭載し、リードインテンシブのアプリケーションおよび大容量ストレージ向けに設計され、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器だけでなく、PC、ネットワーク機器、AR/VR、IoT、AI対応デバイスなどに適しています。
QLC UFSは、従来のTLC UFSよりもビット密度が高く、モバイル・アプリケーションの大容量化に貢献します。コントローラー技術とエラー訂正能力の向上により、QLCを用いた性能と容量の高いバランスを実現し、大幅な性能向上を達成しています[注2]。新しいQLC UFS製品は、当社前世代品[注3]と比較して、シーケンシャルライト性能約25%、ランダムリード性能約90%、ランダムライト性能約95%向上しています[注4]。また、書き込み増幅率(WAF)は最大3.5倍改善されます(WriteBooster無効時)。
新しいUFS 4.1製品は、キオクシアのBiCS FLASH™3次元フラッシュメモリとコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収めたものです。キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリは、先進的なCMOS directly Bonded to Array (CBA)技術を採用しています。
新製品の主な仕様：
512GBおよび1TBの容量タイプをラインアップ
UFS 4.1規格に準拠（UFS 4.1は、UFS 4.0およびUFS 3.1と下位互換性あり）
キオクシアの第8世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリを採用
書き込み性能を大幅に向上させるWriteBoosterをサポート
当社従来QLC UFS製品に比べてパッケージサイズを縮小：11×13 mm → 9×13 mm
関連リンク：
キオクシアのUFS 4.1製品の製品ページ
注1 UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
注2 当社の試験環境で得られた結果。
注3 UFS 4.0製品(第6世代BiCS FLASH™3次元フラッシュメモリ QLC製品) との比較。
注4 WriteBoosterが有効な場合の512GB製品。
* 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
* 1Gbpsを1,000,000,000ビット/秒として計算しています。リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
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