川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、太陽光インバーターやEV充電スタンド、スイッチング電源などの産業用機器に向けた、当社第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD)に、1200V耐圧品「TRSxxx120Hxシリーズ」を追加しました。TO-247-2Lパッケージの5製品とTO-247パッケージの5製品、計10製品の出荷を本日から開始します。
新シリーズは、第３世代650V SiC SBDの改良型ジャンクションバリアショットキー(JBS)構造[注1]を採用した1200V耐圧展開品です。新規ショットキーメタル[注2]を採用することで、業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧1.27V (typ.)、低い総電荷量、そして低い逆電流を実現しました。これにより、より大容量の機器の電力損失を大幅に低減します。
当社は今後もSiCパワーデバイスのラインアップ拡充を行い、産業用電力機器の高効率化(電力損失低減)に貢献します。
[注1] 改良型JBS構造：ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できるJBS構造に、高電流における順方向電圧を低減できるMPS(Merged PiN Schottky)構造を取り込んだ構造。
[注2] ショットキーメタル：ショットキーバリアダイオードで、半導体と接合される金属のこと。
[注3] 1200V耐圧SiC SBDにおいて。2024年9月現在、当社調べ。
応用機器
太陽光発電用インバーター
EV充電スタンド
産業用スイッチング電源、UPS
新製品の主な特長
第3世代 SiC SBD 1200V耐圧展開製品
業界トップクラス[注3]の低い順方向電圧：VF＝1.27V (typ.) (IF=IF(DC))
低い総電荷量：
TRS20H120Hの場合 QC=109nC(typ.) (VR=800V, f=1MHz)
低い逆電流：
TRS20H120Hの場合 IR＝2.0μA (typ.) (VR=1200V)
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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SiCショットキーバリアダイオード
第3世代SiCショットキーバリアダイオード (SBD)(技術記事)
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