トランスフォーム、2種類の4端子TO-247デバイス発売で、高電力サーバー、再生可能エネルギー、産業用電力変換分野向けに製品ポートフォリオを拡大

専用設計またはSiCのドロップイン製品として使用できる新型FET

GOLETA, Calif.--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --米トランスフォーム はGaNパワー半導体の世界的リーダーであり（Nasdaq：TGAN）、このたび4端子のTO-247パッケージ（TO-247-4L）を持つ新しいSuperGaN®デバイスを発売しました。TP65H035G4YS FETとTP65H050G4YS FETは、それぞれ35mΩと50mΩのオン抵抗を有しており、ケルビンソース端子によってエネルギー損失を低減しながら多様なスイッチング機能を提供します。この新しいデバイスは、コスト効率と信頼性が高く、シリコン製造ラインでの大量生産に適した、トランスフォームの確立されたGaN-on-Silicon基板製造プロセスで製造されます。50mΩのTP65H050G4YS FETは現在販売中、35mΩのTP65H035G4YS FETは現在サンプル対応中で、2024年第1四半期に発売予定です。

トランスフォームの4端子SuperGaN®デバイスは、独自のデザインインで、あるいは4端子のシリコンやSiCソリューションのドロップイン代替品として、データセンター、再生可能エネルギー、産業用途などの幅広い分野で1キロワット以上の電源に活用いただけます。4端子の構造により、スイッチング性能の改善に対するユーザーの自由度が向上します。35mΩのSuperGaN 4端子FETは、ハードスイッチング同期ブーストコンバーターにおいて、同等のオン抵抗を持つSiC MOSFETデバイスと比較して50キロヘルツで15パーセント、100キロヘルツで27パーセントの損失を削減しました。

トランスフォームのSuperGaN FETには、以下のような独自の強みがあります。

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  業界最高水準の耐久性（ゲート閾値+/-20V、ノイズ耐性4V）


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  デバイス周辺の回路を減らし、容易な設計が可能


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  シリコンデバイスに一般的な既製品のドライバーを組み合わせることができるため、FETの駆動が簡単

TO-247-4Lデバイスは以下のコア仕様により、同じ耐久性、設計性、駆動性を提供します。

Part Number	Vds (V) min	Rds(on) (mΩ) typ	Vth (V) typ	Id (25°C) (A) max	Package Variation
TP65H035G4YS	650	35	3.6	46.5	Source
TP65H050G4YS	650	50	4	35	Source

トランスフォームの事業開発およびマーケティング担当上級副社長のフィリップ・ズクは「当社は、顧客が必要とするあらゆる設計要件に対し、SuperGaNプラットフォームの性能上の優位性を活用できるGaN FETを市場に提供するため、当社の製品ポートフォリオを拡大し続けています。4ピンのTO-247パッケージは、シリコンまたはシリコンカーバイドシステムに対してほとんどデザイン変更を必要としないため、より大きな電力システム損失削減を求める設計者や顧客に柔軟性を提供します。高出力アプリケーションに向けて当社の製品ラインを拡大するにあたり、重要な新製品です」と述べています。

製品をご希望の方へ

35mΩと50mΩのTO-247-4L FETのサンプルをご希望の方は、トランスフォームのセールスチーム（[e-mail]）までご連絡ください。各デバイスのデータシートは以下のリンクでご覧いただけます。

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  TP65H035G4YSデータシート：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/


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  TP65H050G4YSデータシート：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を超える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、こちらからご覧ください。 www.transphormusa.com 。X（旧Twitter）@transphormusaとWeChatのTransphorm_GaNでフォローをお願いします。

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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