川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに当社第3世代のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載した業界初[注1]の2200V耐圧、ドレイン電流 (DC) 定格250AのDual SiC MOSFETモジュール「MG250YD2YMS3」を開発しました。新製品は、DC1500Vで使用する太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションに適しています。本日から量産出荷を開始します。
これまで太陽光発電、エネルギー貯蔵システムなどのアプリケーションは、一般的にDC1000V以下で使用されていました。そのため、アプリケーションに使用するパワーデバイスは、1200V耐圧または1700V耐圧製品が主流でした。しかし、今後、DC1500Vのアプリケーションが多用される見込みから、業界初の2200V耐圧製品をリリースしました。
新製品は、ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) を0.7V (typ.)[注2]と低くし、低導通損失を実現しました。また、ターンオンスイッチング損失を14mJ (typ.)[注3]、ターンオフスイッチング損失を11mJ (typ.)[注3]と低くし、一般的なSi (シリコン) IGBTモジュールと比べて約90%[注4]のスイッチング損失低減を実現しました。これにより、機器の高効率化に貢献します。さらに、低スイッチング損失を実現することで従来の3レベル回路ではなく、モジュール搭載数が減少する2レベル回路を構成することができ、機器の小型化に貢献します。
当社は、今後もさまざまな電流値を展開した製品ラインアップを拡充し、産業用機器の高効率化、小型化のニーズに対応していきます。
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応用機器
産業用機器
・再生可能エネルギー発電システム (太陽光発電など)
・エネルギー貯蔵システム
・産業用モーター制御機器
・高周波絶縁DC-DCコンバーターなど
新製品の主な特長
ドレイン・ソース間オン電圧 (センス端子) が低い :
VDS(on)sense=0.7V (typ.) (ID=250A、VGS=+20V、Tch=25°C)
ターンオンスイッチング損失が低い :
Eon=14mJ (typ.) (VDD=1100V、ID=250A、Tch=150°C)
ターンオフスイッチング損失が低い :
Eoff=11mJ (typ.) (VDD=1100V、ID=250A、Tch=150°C)
寄生インダクタンスが低い :
LsPN=12nH (typ.)
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新製品の詳細については下記ぺージをご覧ください。
MG250YD2YMS3
当社のSiCパワーデバイスの詳細については下記ページをご覧ください。
SiCパワーデバイス
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Contacts
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東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
