川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) ショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRSxxx65Hシリーズ」を発売しました。第3世代SiC SBDの第一弾として、650V耐圧のTO-220-2Lパッケージ品7種およびDFN8×8パッケージ品5種、全12製品の出荷を本日から開始します。
新製品は、新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー (JBS)構造[注2]を最適化した第3世代SiC SBDチップを搭載しています。これにより、第3世代製品では、業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧1.2V (Typ.) を実現し、第2世代製品の順方向電圧1.45V (Typ.) と比べて約17％低減しました。また、第2世代製品と比べて、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しています。これにより、損失を低減し、機器の高効率化に貢献します。
[注1] 2023年7月現在、当社最新。
[注2] JBS構造 : ショットキー界面の電界が下がり、リーク電流を低減できる構造。
[注3] 2023年7月現在、当社調べ。
応用機器
スイッチング電源
EV充電スタンド
太陽光発電用インバーター
新製品の主な特長
業界トップクラス[注３]の低い順方向電圧：VF＝1.2V (Typ.) (IF=IF(DC))
低い逆電流：
TRS6E65Hの場合 IR＝1.1μA (Typ.) (VR=650V)
低い総電荷量：
TRS6E65Hの場合 QC＝17nC (Typ.) (VR=400V、f=1MHz)
■新製品の主な仕様
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TRS2E65H
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TRS8E65H
TRS10E65H
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TRS6V65H
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SiCショットキーバリアダイオード
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