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東芝:急速充電に適した小型・薄型の超低オン抵抗コモンドレインMOSFET発売について


川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、モバイル機器などのリチウムイオン (Li-ion) 電池パックに使用するバッテリー保護回路向けに、コモンドレイン接続12V耐圧、電流定格20AのNチャネルMOSFET「SSM14N956L」を製品化し、本日から出荷を開始します。




近年、Li-ion電池パックには、充放電時の発熱の低減や、安全性を高めるため、堅牢性の高い保護回路が採用されています。また、保護回路には低電力損失と高密度実装が必要となっており、MOSFETにおいては低いオン抵抗と小型・薄型サイズが求められます。


新製品は、先行リリースした既存製品SSM10N954Lと同じ当社微細プロセスを採用しました。これにより、業界トップクラス[注1]の低オン抵抗特性による低電力損失と、低いゲート・ソース間漏れ電流特性による低待機電力化の両立が可能となり、バッテリーの長時間動作に貢献します。

また、小型・薄型の新パッケージ TCSPED-302701 (2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)) を採用し保護回路の高密度実装に貢献します。


当社は今後も、Li-ion電池パック搭載機器の保護回路向けにMOSFET製品の開発を進めていきます。


応用機器



  • Li-ion電池パック搭載の民生/個人用機器

    (スマートフォン、タブレットデバイス、パワーバンク、ウエアラブル端末、ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタルコンパクトカメラ、デジタル一眼レフカメラなど)


新製品の主な特長



  • 業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 : RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V


  • 業界トップクラス[注1]の低ゲート・ソース間漏れ電流: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V


  • 小型・薄型のTCSPED-302701パッケージ : 2.74mm x 3.0mm、t=0.085mm (typ.)


  • バッテリー保護回路で使用しやすいコモンドレイン構造


[注1] 同定格の製品において。2023年5月現在、当社調べ。


新製品の主な仕様































(特に指定のない限り、Ta=25°C)


品番


SSM14N956L


SSM10N954L[注2]


構造


Nチャネル


コモンドレイン


絶対最大定格


ソース・ソース間電圧 VSSS (V)


12


ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)


±8


ソース電流 (DC) IS (A)


20.0


13.5


電気的特性


ゲート・ソース間漏れ電流 IGSS


max (μA)


@VGS= ±8V


±1


ソース・ソース間オン抵抗 RSS(ON)


typ. (mΩ)


@VGS=4.5V


1.00


2.1


@VGS=3.8V


1.10


2.2


@VGS=3.1V


1.25


2.4


@VGS=2.5V


1.60


3.1


パッケージ


名称


TCSPED-302701


TCSPAC-153001


寸法 typ. (mm)


2.74x3、


t=0.085


1.49x2.98、


t=0.11


在庫検索&Web少量購入


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[注2] 先行リリース製品


新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

SSM14N956L


オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。

SSM14N956L

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* 社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

* 本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


Contacts


お客様からの製品に関するお問い合わせ先

小信号デバイス営業推進部

044-548-2215

お問い合わせ


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社

デジタルマーケティング部

長沢 千秋

e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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