製品ティアダウンにより、トランスフォームのSuperGaN® FET技術がHP 65W USB-C PD/PPSデュアルアウトプット電源アダプターで使用されていることが明らかに
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、ヒューレット・パッカードのUSB-C PD/PPS電源アダプターに当社のGaN技術が使用されていることを発表しました。今回のデザインウィンにより、25～350ワットの低電力・中電力の電源アダプター領域において、トランスフォームのGaN FET技術の地位が強固なものになります。
SuperGaN®技術の特徴
この HP製電源アダプターは、トランスフォームのSuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG 650V GaN FETを使用しています。この技術は設計のしやすさと高信頼性に加え、高い性能を提供するものであり、これはトランスフォーム製GaNデバイスの代名詞となっています。
さらにトランスフォームは最近、時間当たり故障率（FIT）0.05未満で、1000億時間超のフィールド信頼性データを仕上げました。これらの統計には25ワット～3.6キロワットの基幹系アプリケーションを含む幅広い電力レベルが含まれています。
より大きなダイ（例：175mOhm）のeモードGaNデバイスと比較した場合、このプラットフォーム固有の性能面での利点により、トランスフォームのより小さなダイ（すなわち240mOhm）のSuperGaN FETが150°Cでより低いオン抵抗の上昇（23%）を示し、50%および100%（フル）の出力でより高い性能を示すことが、以前に実証されています。
トランスフォームのフィールドアプリケーション＆テクニカルセールス担当バイスプレジデントのTushar Dhayagudeは、次のように述べています。「お客さまは当社が最高の性能を伴いながら品質と信頼性に専心することの利点を認識しており、今やHPのような一流のお客さまに採用されているため、これはトランスフォームにとって重要なデザインウィンとなります。当社のGaN FETは市販の統合型ドライバーが搭載されたコントローラーに依存しないため、その結果として設計の容易性とドライバビリティーがもたらされます。これらは、さまざまな市場の低電力と高電力の両セグメントで当社製品が採用され続けている中で、重要性がますます高まっています。」
HPのティアダウンについては、https://www.chargerlab.com/teardown-of-hp-65w-dual-usb-c-gan-power-adapter/をご覧ください。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
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