東芝：LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、4月に量産を開始します。

新製品は、耐圧(V_DSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F
パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。

高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。

応用機器

• 
  車載向け LEDヘッドライト駆動用
  

新製品の主な特長

• 
  小型パッケージ製品
  


• 
  高ESD耐量品
  


• 
  低Ron
  

新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
項目 (Ta=25℃)						SSM6N813R
絶対最大定格		ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)				100
		ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)				+/-20
		ドレイン電流 ID (A)				3.5
電気的特性		ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)		VGS=10V		112
				VGS=4.5V		154
		入力容量 Ciss typ. (pF)				242
パッケージ		TSOP6F				2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

東芝の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

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