本製品は、化合物半導体のInGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素）層でフォトダイオードを形成し、読出し回路を形成したSi（シリコン）層とCu-Cu（カッパー・カッパー）接続※2することで、広帯域・高感度を実現した独自のSWIRイメージセンサー技術“SenSWIR（センスワイア）”※3を採用しています。これにより、小型でありながら、可視光から非可視光である短波長赤外までの広帯域（波長：0.4um-1.7um）でシームレスな撮像が可能なSWIRイメージセンサーを実現しました。
本製品を搭載し、人間の眼には届かない波長の光もセンシングに活用することで、さまざまな用途に対応したカメラや検査装置などの開発が可能となり、多様化する産業機器の発展に貢献します。
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/202005/20-036/
概要：ソニー
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