ALD/CVD前駆体（プリカーサ）市場は2021年に13億9000万米ドルに達し、2022年には12％の成長予測【テクセット社調査報告】

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株式会社データリソースは、TECHCET（テクセット）社のレポート「高誘電材料とALD金属前駆体」を7月14日に販売開始しました。6月27日付の同社のプレスリリースによると、ALD/CVD前駆体（プリカーサ）市場全体は2021年に21％成長、13億9000万米ドルに達し、2022年には12％の成長を予測しています。



プレスリリース詳細

2022年6月27日プレスリリース
カリフォルニア州サンディエゴ

ビジネスと技術情報を提供する電子材料アドバイザリー企業であるTECHCETは、ALD/CVD前駆体（プリカーサ）市場全体が2021年に21％成長し、13億9000万米ドルに達し、2022年には12％の成長が予測されていると報告しています。2022年のプリカーサ市場は、＜7nmロジックデバイスの生産量増加や3DNANDデバイスの積層数・層数の増加により、業界全体が力強く成長し、15億6000万米ドルを超えると予測しています。また、DRAM製造におけるEUVリソグラフィへの移行も、プリカーサの収益増加の機会をもたらすでしょう。これらの市場動向に関する詳細は、ベルギーのゲントで開催される2022 ALD ConferenceでJonas Sundqvist博士が行ったTECHCETのプレゼンテーションで明らかにされるでしょう。

「ALDとCVDは、材料と化学が豊富な産業分野であり、大規模な開発努力が行われており、成長の見込みも強く、新しい材料が必要とされている」とTECHCETのシニア技術アナリストであるJonas Sundqvistは述べています。「コストと性能の両方を満たすように設計された新しい製造ソリューションは、ALD前駆体材料に依存することになるだろう。」

新しい材料と関連するプロセス技術は、デバイス設計の変化により推進されています。先端ロジックでは、トランジスタの高誘電ゲート絶縁膜、メタルゲート電極、チャネルのひずみ・応力エピ、チャネル材料の形成に新しいプリカーサが必要とされています。

DRAMのメモリセルでは、より高誘電のキャパシタが求め続けられています。また、先端デバイス、特にロジックでは、配線、バリア、シード層、選択的ビアキャッピングとカプセル化、絶縁体、さらに EUV や高度 ArFi フォトリソグラフィーに対応した新しい、またはそれ以上の誘電体が要求されています。

材料、特にALD成膜による新材料の継続的な寸法スケーリングの結果として、新たな課題が継続的に存在します。面積選択性成膜は、過去5年間のトレンドであり、将来のデバイスにこのアプローチを実装するためにR＆Dコミュニティが成長しています。

■本レポートについて
高誘電材料とALD金属前駆体
https://www.dri.co.jp/auto/report/techcet/techchighkald.html

■調査会社について
TECHCET（テクセット）社
https://www.dri.co.jp/auto/report/techcet/index.html
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