トランスフォームが新しいホワイトペーパーを公開：ノーマリーオフ型dモードGaNとノーマリーオフ型eモードGaNの利点を比較検証
堅牢なGaNパワー半導体のリーダーは、競争の激しいeモード設計では性能面で妥協する一方、ノーマリーオフ型dモードプラットフォーム設計によりGaN本来の利点を活かす方法を提示
カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --堅牢なGaNパワー半導体のグローバル・リーダーであるトランスフォーム（Nasdaq: TGAN）は、「カスコード構成のdモードGaNの基本的な利点」と題された最新のホワイトペーパーの公開を発表しました。同文書には、カスコード（ノーマリーオフ型）dモードGaNプラットフォームがもたらす固有の利点に関する簡単なチュートリアルを掲載しています。この文書で重要な点は、eモードプラットフォームがその物理的な性質のために、最終的にはノーマリーオフ型ソリューションを提供するためのパフォーマンスの利点が減少するという点についても説明を続けていることです。同文書はこちらからダウンロードできます。https://bit.ly/wpdmodegan
ホワイトペーパーの重要なポイント
この文書では、ノーマリーオフ型dモードGaNプラットフォームがもたらす、以下に挙げるいくつかの重要な利点を明らかにしています。
より高いパフォーマンスの実現：優れたTCR（～25%）と低い動的～静的オン抵抗比（～25%）により、損失の低減、効率の向上、および性能指数（FOM）の向上が実現します。
より高い電力レベルでの容易な動作性：トランスフォームのdモードではより高い飽和電流が得られますが、eモードで同じ電流を得るためには並列接続する必要があります（これにより電力密度と信頼性が低下します）。
堅牢かつ容易な駆動性：eモードのpゲート制限のないシリコンMOSFET SiO2ゲートインターフェースを使用した最も堅牢なゲートであり、シリコンベースのドライバーおよびコントローラーと互換性を持ちます。
トランスフォームの事業開発およびマーケティング担当上級副社長フィリップ・ズクは、次のように述べています。「ワイドバンドギャップ業界では、ノーマリーオフ型dモードGaNとeモードのどちらのソリューションが優れているかについて長い間議論がされてきました。最初に市場に参入したとき、私たちは両方のオプションを検討し、ノーマリーオフ型dモードソリューションを選択しました。これは、最高のパフォーマンスと広範なドライバー互換性を備えた最も信頼性の高いオプションだったからです。また、eモードではまだ再現性のないシステム設計機能を備えた包括的な長期ロードマップも提示してくれました。このホワイトペーパーの目的は、お客様がGaNデバイスを選択する際に何が得られるのかをより深く理解できるように、当社がこの方法でGaNを設計する理由を明確に説明することです。」
トランスフォームは10年以上にわたり、最も信頼性の高いGaNプラットフォームで業界をリードしてきました。現在、現場での稼働時間は2,000億時間を超え、低電力システムから高電力システムまで、幅広い用途をサポートしています。当社は初めてJEDEC認定を取得し、AEC-Q101（自動車）認定を初めて取得し、900Vプラットフォームを初めてリリースしました。そして現在、800V電気自動車バッテリー用途向けに実証済みの1200Vプラットフォームを開発中です。
トランスフォームは、マイクロインバーターや双方向システムなどの対象設計において、部品数を2個から4個削減するのに役立つ4象限スイッチを実証しました。また、5マイクロ秒の短絡耐時間（SCCL）を実証し、数十億ドルに及ぶモーター制御および電気自動車パワートレイン用途の市場を開拓しました。
当社はその包括的な製品プラットフォームにより、コンピューティング（データセンターおよびネットワーキング電源、高性能ゲーム、ブロックチェーン、AIコンピューティング）、エネルギー／産業（ミッションクリティカルなUPSおよびマイクロインバーター）、民生用アダプター／急速充電器（ラップトップ、モバイル、家電）の用途において、数十ワットから最大7.5キロワットに及ぶ顧客製品のデザイン・インと生産増加を達成しました。それらはすべて、顧客の手に委ねられた最初のノーマリーオフ型dモード設計の選択のおかげであると同社は考えています。
ホワイトペーパーの概要
全体として、同文書はGaNが物理的な観点から自然に引き起こす事象について述べています。また、ノーマリーオフ型dモードGaNソリューションがこれらの固有の利点を最大限に活かして、より優れた信頼性、設計性、駆動性、製造性、多用途性を備えた優れたプラットフォームを構築する方法についても説明しています。
具体的には、GaN HEMTスタック内に自然に形成される自然現象である2次元電子ガスチャネル（2DEG）の役割を研究しています。すべてのGaNプラットフォーム（eモードを含む）はその中心がノーマリーオン型dモードプラットフォームであるため、同文書は、プラットフォームをオフにするためにdモードに基づく手法とeモードに基づく手法のどちらを選択するかによって2DEGとプラットフォーム全体のパフォーマンスがどのような影響を受けるかを検証していきます。
最後に、ノーマリーオフ型dモードおよびeモードのデバイスのパフォーマンスに関する誤った通説を取り上げています。
ホワイトペーパーの入手方法
このホワイトペーパーは無料で入手でき、以下からダウンロードできます。www.transphormusa.com/document/wp-dmode-gan-advantages
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧の電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造するグローバル・リーダーです。1,000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界で初めてJEDEC／AEC-Q101に準拠した高電圧のGaN半導体デバイスを製造しています。当社の垂直統合型デバイス・ビジネスモデルは、設計、組み立て、デバイス、アプリケーション・サポートといったあらゆる開発段階で革新を可能にします。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%超の効率を達成し、電力密度を50％高め、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とWeChat（@Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
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