川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、産業用機器向けに、スイッチング損失を低減する4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージに当社最新[注1]の第3世代シリコンカーバイド (SiC) MOSFETチップを搭載したSiC MOSFET「TWxxxZxxxCシリーズ」を発売しました。10品種(650V耐圧製品5品種、1200V耐圧製品5品種)の出荷を本日から開始します。






新製品は、当社SiC MOSFETで初の4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子のため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。パッケージ内部にあるソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減することができ、高速スイッチング性能を向上しました。新製品TW045Z120Cの場合、3端子タイプTO-247パッケージの当社既存製品TW045N120Cと比べて、ターンオン損失を約40％、ターンオフ損失を約34％低減[注2]しました。これにより、機器の電力損失の低減に貢献します。


なお、新製品を活用した「SiC MOSFET応用3相インバーター」のリファレンスデザインを開発し、本日当社ウェブサイトに公開しました。


当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップを拡充し、機器の電力の⾼効率化と大容量化に貢献します。


[注1] 2023年8月現在。

[注2] 2023年8月現在、当社実測値。(測定条件 : VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25°C)


応用機器



  • スイッチング電源 (データセンターなどのサーバー、通信機器など)


  • EV充電スタンド


  • 太陽光発電用インバーター


  • 無停電電源装置 (UPS)


新製品の主な特長



  • 4端子タイプTO-247-4L(X)パッケージを採用 :

    ゲートドライブ用信号ソース端子のケルビン接続でスイッチング損失を低減


  • 第3世代SiC MOSFET


  • ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量が低い


  • 順方向電圧 (ダイオード) が低い : VDSF=－1.35V (typ.) (VGS=－5V)


新製品の主な仕様




































(特に指定のない限り、Ta=25°C)


品番


パッケージ


絶対最大定格


電気的特性


在庫検索


＆


Web少量購入


ドレイン・


ソース間


電圧


VDSS


(V)


ゲート・


ソース間


電圧


VGSS


(V)


ドレイン


電流


(DC)


ID


(A)


ドレイン・


ソース間


オン抵抗


RDS(ON)


(mΩ)


ゲート


しきい値


電圧


Vth


(V)


ゲート


入力


電荷量


Qg


(nC)


ゲート・


ドレイン間


電荷量


Qgd


(nC)


入力容量


Ciss


(pF)


順方向電圧


(ダイオード)


VDSF


(V)


Tc=25°C


VGS=18V


VDS=10V


VGS=18V


VGS=18V


typ.


測定条件


VDS


(V)


VGS=－5V


typ.


typ.


typ.


typ.


TW015Z120C


TO-247-4L(X)


1200


－10～25


100


15


3.0～5.0


158


23


6000


800


－1.35


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TW030Z120C


60


30


82


13


2925


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TW045Z120C


40


45


57


8.9


1969


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TW060Z120C


36


60


46


7.8


1530


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TW140Z120C


20


140


24


4.2


691


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TW015Z65C


650


100


15


128


19


4850


400


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TW027Z65C


58


27


65


10


2288


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TW048Z65C


40


48


41


6.2


1362


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TW083Z65C


30


83


28


3.9


873


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TW107Z65C


20


107


21


2.3


600


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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。

TW015Z120C
TW030Z120C
TW045Z120C
TW060Z120C
TW140Z120C
TW015Z65C
TW027Z65C
TW048Z65C
TW083Z65C
TW107Z65C


当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。

MOSFET


各種アプリケーションへの応用例は下記ページをご覧ください。

サーバー
無停電電源装置
LED照明


オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記ページをご覧ください。

TW015Z120C

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TW030Z120C

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TW045Z120C

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TW060Z120C

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TW048Z65C

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TW083Z65C

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TW107Z65C

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東芝デバイス＆ストレージ株式会社

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長沢 千秋

e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

情報提供元： ビジネスワイヤ
記事名：「 東芝：スイッチング損失を低減する4端子パッケージ採用の産業用機器向け第3世代シリコンカーバイド(SiC) MOSFET発売について 」