川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、車載機器向けに、新パッケージS-TOGL™ (Small Transistor Outline Gull-wing Leads)に当社U-MOSⅨ-Hプロセスのチップを搭載した40V耐圧NチャネルパワーMOSFET 「XPJR6604PB」と「XPJ1R004PB」を発売しました。本日から量産出荷を開始します。






自動運転システムなどの安全性が問われるアプリケーションでは、システムの冗長設計により、従来のシステムと比べてデバイスの搭載員数が増え、実装サイズも大きくなる方向です。そのため、車載機器を小型化するには、より高電流密度で実装可能なパワーMOSFETが必要です。


新製品は、新パッケージのS-TOGL™ (7.0mm×8.44mm[注1]) を採用しています。チップからアウターリードまでを一体化したポストレス構造に加えて、ソース端子を多ピン化することで、パッケージ抵抗を低減しました。


XPJR6604PBの場合、S-TOGL™パッケージと当社U-MOSⅨ-Hプロセスとの組み合わせにより、当社TO-220SM(W)パッケージの既存製品[注2]と比べて、オン抵抗を約11%低減し、実装面積を約55%低減して小型化しました。また、同既存製品と同等の熱抵抗特性を備え、高放熱性を実現しています。さらに、新パッケージは、類似サイズの当社DPAK+パッケージ (6.5mm×9.5mm[注１])と比べて、ドレイン電流定格が200Aと高く、大電流の通電が可能です。


新製品は、S-TOGL™パッケージにより、高密度、かつコンパクトなレイアウトが可能となり、車載機器の小型化と高放熱性に貢献します。


また、S-TOGL™パッケージは、実装応力を緩和するガルウィングリード形状により、振動や高温など過酷な環境下での使用を想定した車載電子部品の、基板実装はんだの接合信頼性向上に貢献します。


なお、ゲートしきい値電圧ごとのグルーピング納品[注3]にも対応しています。これにより、並列接続での使用が想定される大電流動作を必要とするアプリケーションに対して、特性差の少ない製品グループでシステム設計を進めることができます。


当社は今後もパワー半導体製品の製品ラインアップの拡充を進め、より使いやすく、高性能なパワーデバイスを提供することで、カーボンニュートラルの実現を目指します。


応用機器



  • 車載機器 (インバーター、半導体リレー、ロードスイッチ、モータードライブなど)


新製品の主な特長



  • 新パッケージS-TOGL™を採用 : 7.0mm×8.44mm (Typ.)


  • ドレイン電流定格が大きい :


XPJR6604PB: ID=200A

XPJ1R004PB: ID=160A



  • AEC-Q101適合


  • IATF 16949/PPAP提供可能[注4]


  • 低オン抵抗 :


XPJR6604PB: RDS(ON)=0.53mΩ (Typ.) (VGS=10V)

XPJ1R004PB: RDS(ON)=0.8mΩ (Typ.) (VGS=10V)


[注1] リード含むパッケージサイズ(Typ.)

[注2] 既存製品: TO-220SM(W)パッケージのTKR74F04PB

[注3] ゲートしきい値電圧を0.4V幅としたリールごとのグルーピング納品が可能です。ただし、特定グループの指定は受け付けていません。詳しくは、当社営業担当へお問い合わせください。

[注4] 詳しくは当社営業担当へお問い合わせください。


新製品の主な仕様






























 


新製品


既存製品


品番


XPJR6604PB


XPJ1R004PB


TKR74F04PB


TK1R4S04PB


極性


Nチャネル


シリーズ


U-MOSIX-H


パッケージ


名称


S-TOGL™


TO-220SM(W)


DPAK+


サイズ (mm)


Typ.


7.0×8.44, t=2.3


10.0×13.0, t=3.5


6.5×9.5, t=2.3


絶対最大定格


ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)


40


ドレイン電流 (DC) ID (A)


200


160


250


120


ドレイン電流 (パルス) IDP (A)


600


480


750


240


チャネル温度 Tch (°C)


175


電気的特性


ドレイン・ソース間オン抵抗


RDS(ON) (mΩ)


VGS=10V


Max


0.66


1.0


0.74


1.35


チャネル・ケース間過渡熱インピーダンス


Zth(ch-c) (°C/W)


Tc=25°C


Max


0.4


0.67


0.4


0.83


 


 


 


 


 


 


 


 


 


新製品の詳細については下記ページをご覧ください。


XPJR6604PB
XPJ1R004PB


当社の車載MOSFET製品詳細については下記ページをご覧ください。


車載MOSFET


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情報提供元： ビジネスワイヤ
記事名：「 東芝：車載機器の小型化と高放熱性に貢献する新パッケージの40V耐圧NチャネルパワーMOSFET発売について 」