トランスフォームが、eモードデバイスとピン互換性のあるSuperGaN FETを６個発表
新規業界標準のPQFNパッケージは、dモードGaNを介して高性能を備えた簡単なドロップイン置換品パッケージとして機能
カリフォルニア州、ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- トランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで、世界的サプライヤーです。本日、業界標準のPQFN 5x6および8x8パッケージで6個の表面実装デバイス（SMDs）の提供を開始したと発表しました。 これらのSMDsは、競合eモードGaNデバイスで通常使用されるパッケージ構成において、トランスフォームの特許取得済みSuperGaN ®プラットフォームが提供する信頼性と高性能のメリットを実現します。その結果、これらのデバイスは、最初のデザインソースまたはeモードGaNソリューションのピン互換ドロップイン置換品や、第２ソースとして簡単に使用できます。
トランスフォームは、SuperGaNプラットフォームからさらなる熱性能を必要とする電力システムの場合、最適化されたパフォーマンスパッケージでSMDSも提供しています。すべてのトランスフォーム・デバイスは、低電圧シリコンMOSFETとGaN HEMTを組み合わせたdモード構成を用いるため、パッケージに関係なく、簡単な設計力と推進力を提供します。このプラットフォーム構成により、標準の既製コントローラやドライバを使用してトランスフォームのポートフォリオの優れた設計力と推進力を高めることもできます。
「トランスフォームは、強力なGaNデバイスのポートフォリオを生産し続けており、現在、業界で最も広範なパワースペクトルをカバーしています。最近発表されたウェルトレンド・セミコンダクターと共同で開発したシステムインパッケージに続いて、業界標準パッケージのリリースにより、低消費電力戦略を固めます。お客様は、パフォーマンスパッケージ、eモードとピン互換性のある業界標準パッケージ、システムインパッケージなど、SuperGaNのメリットをどのように活用するかを選択できるようになりました」と、トランスフォームの事業開発・マーケティング担当上級副社長フィリップ・ズクは述べています。
SuperGaNドロップイン置換品のメリット
eモードデバイスをSuperGaN dモードFETに置き換えることで、より高い性能と低い動作中温度を実現することが実証されており、低い伝導損失により、より長い寿命期間の信頼性を実現しています。これは、dモードGaNノーマルオフ型のデバイスとeモードGaNノーマルオフ型のデバイスの本質的な優位性によるものです。このような検証の1つの例として、280 Wゲーム用ノートパソコンの充電器で50 mΩ eモードを72 mΩ SuperGaNテクノロジーに置き換えた最近の比較がこちらからご覧いただけます：https://bit.ly/diraztbISP
充電器の分析では、SuperGaN FETはコントローラの出力電圧範囲（一方、eモードはレベルシフトしなければなりません）で動作し、温度が低い場合でも動作します。SuperGaN抵抗温度係数(TCR)はeモードよりも約25％低く、伝導損失の低減に寄与しています。さらに、周辺部品の数が20%削減され、BOMコストが低くなったことを示しています。
業界標準のSMDポートフォリオ
トランスフォームの業界標準PQFNデバイス・リストは次の通りです。
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デバイス間で共有される主要機能は次の通りです。
JEDEC準拠
動的オン抵抗実稼働確認済み
大きい安全マージンと過渡過電圧機能を備えた業界をリードする堅牢性
低逆回復電荷（QRR）
クロスオーバー損失の低減
対象となるアプリケーション
72 mΩ FETは、データ通信、幅広い産業、PVインバータ、サーボモータ、コンピューティングシステム、一般消費者向け用途に最適に設計されています。
150、240、480 mΩ FETは、電源アダプター、低消費電力SMPS、照明と、低消費電力の消費者向け用途に最適に設計されています。
デバイスの在庫状況
あらゆる業界標準デバイスは現在サンプリング中であり、こちらから、https://www.transphormusa.com/en/products/#samplingリクエストできます。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を50%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.com をご覧ください。Twitter@transphormusaとWeChat@ Transphorm_GaN.で当社をフォローしてください。
SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。
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