トランスフォームがPCIM 2023に出展：高度なGaNソリューションでEVシステムからアダプターまでを幅広く強化

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  最大幅のパワースペクトルに対応：650 V Weltrend SuperGaN SiP Designの新製品発表を機に、1200 V SuperGaN Device Design Resourceを公開


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  SuperGaNプラットフォームの比類ない信頼性、効率性、性能の実証段階へ

カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、この度出展するPCIM 2023において、パワースペクトルを超えて市場アプリケーションで拡大しつづけるトランスフォームの足跡を強調することを発表しました。製品の展示を通じて、トランスフォームは比類ない製造力、設計力、推進力、信頼性を提供する高度なGaN電力変換ソリューションで、低電力システムから高電力システムまでの対応能力を実証します。トランスフォームは、5月9日から11日までの開催期間中、ホール7のブース108にて出展します。

BOMコストの削減を推進する

先日発表があった、ウェルトレンド・セミコンダクターとの共同開発によるSuperGaN® SiP製品WT7162RHUG24Aも、APEC 2023での初披露に続いて再び展示されます。新たな集積回路を組み込んだウェルトレンドの高効率シングルステージ65W USB-C PD 3.0 + PPS電源アダプターのリファレンスデザインと共に展示されます。総じてピーク効率は約94.0%、出力密度は26W/inで³、このボードはプログラマブルアダプターのための費用対効果の高い包括的ソリューションを提供します。SiPのサンプルをご希望の場合は、電子メール（[e-mail]）でお問い合わせください。

システム性能の向上を実証する

トランスフォームのデバイスポートフォリオは、これまでにない電力変換性能を求めるエンジニアに対してさまざまな選択肢を提供します。これらのデバイスは、パフォーマンスパッケージで提供されますが、ドロップインとの交換を希望する場合は、ピン間互換性のある業界標準パッケージで提供されます。会場では、現在販売されているゲーミングノートPC用充電器に使用されているTSMCのeモードデバイスをトランスフォームFETに置き換えることでシステムの性能が著しく向上することを、静的デモンストレーションによって紹介します。

3kWインバーターシステムに使用されるGaNを簡素化する

先日発表された3.0kW 非絶縁型DC-ACフルブリッジインバーター評価ボード、TDINV3000W050B-KITが、今回初めて展示されます。これはトランスフォームのTP65H050G4WS SuperGaN FETをマイクロチップ・テクノロジーのdsPIC33CKデジタルシグナルコントローラー（DSC）ボードと組み合わせて使用するもので、DSCボードには事前にプログラムされたファームウェアが搭載されています。これにより、幅広い産業用の再生可能な電力システムにおけるSuperGaNソリューションについて理解が進むと同時に、開発の迅速化が可能となります。

車載用GaNソリューションの多様化

トランスフォームは、その技術的な専門性を活かし、車載用GaN電力変換ソリューションにおいて業界の重要なベンチマークを打ち立てることに成功しました。また、AEC-Q101に準拠した650Vデバイスを初めて市場に投入し、GaNデバイスメーカーでは唯一、175℃まで対応のAEC-Q101デバイスをリリースしています。PCIMでは、1年前に初めて実証された1200V GaNデバイスの設計リソースを公開して、再び重要なマイルストーンを達成する予定です。このデバイスは、すでに強力な実力を発揮し、電気自動車でのさまざまな応用を可能にしているトランスフォームの650Vソリューションを補完するものです。

講演会

トランスフォームのGaNプラットフォームがあらゆるレベルの電力システムにどのように影響を与えるかについては、『ボドのパワーシステム』のセッションでお聞きいただけます。

パネル：GaN HEMTと縦型GaNを使用したワイドバンドギャップデザイン

講演者：フィリップ・ツーク、シニアバイスプレジデント、ビジネス開発・マーケティング部事業部

日付：5月10日

時間：13:05（CEST）

場所：インダストリーステージ、ホール7、ブース480

1つのコアプラットフォーム、パワースペクトルを超えて

トランスフォームは、GaNパワー半導体業界をけん引する大手として、以下の点で技術的な差別化を図っています。

製造力：EPI設計、ウェーハプロセス、FETダイ設計を垂直統合して内製化。

設計力：知名度の高い業界標準パッケージやパフォーマンスパッケージを提供する一方、有名なグローバルテクノロジー大手との提携によりシステム開発の簡素化・迅速化に取り組む。

推進力：外部回路を最小限に抑えながら、既製のコントローラやドライバと組み合わせ、シリコンのように駆動できるデバイスを提供。

信頼性：低電力システムから高電力システムまで、延べ1,250億時間以上稼働して0.05未満のFIT（故障率）で引き続き業界をけん引。

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トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusaとウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。

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