トランスフォームが最新の高電圧GaN信頼性データを発表
当社は製品の稼働時間が100億時間を超え、前年比でFIT率が1未満に低下したことを報告
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアでグローバルサプライヤーのトランスフォーム（OTCQB：TGAN）は本日、当社のGaN技術の品質と信頼性（Q+R）に関する最新情報を発表しました。現在、トランスフォームのGaNプラットフォームは、実際環境のアプリケーションで10億時間当たり1回未満という故障率（FIT）を実現しており、信頼性が非常に高いことを示しています。FITの計算は、インストールベースで約250メガワット（MW）という製品の100億時間以上に及ぶ現場での稼働時間の累積に基づいています。
トランスフォームのデバイスは今日、65 Wから3 kWまでの広範なアプリケーションで使用されています。例えば、スマートフォンやラップトップで使用する汎用急速充電アダプター、頑丈で多様な産業用電力モジュール、1.5〜3.0 kWのチタンクラスのデータセンター向け電源があります。これらは、欧州議会および欧州理事会が義務付けている高電力効率エコデザイン要件（ErP指令：2009/125/EC）を満たしています。
トランスフォームのGaNとSiCの信頼性
炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは従来製品に取って代わる電力変換ソリューションであり、パワーGaNソリューションよりも成熟の後期段階にあります。SiCは、市販期間が長いため、トランスフォーム製 GaNの100億時間と比較して現場での稼働時間が1兆時間以上に及びますが、最近の報告書によると、SiCのフィールド故障FIT率は4.1となっています1。これは、FITが1未満というトランスフォームのGaNによってこれまでに達成された優れたフィールド信頼性を実証しています。
社内での信頼性=フィールドでの信頼性=正確性
初期故障（ELF）率または「乳児死亡率」とも呼ばれる外的信頼性は、メーカーによる社内分析、すなわち部品の故障の原因となる可能性のある材料、設計、プロセス制御の欠陥を特定することで決定されます。その代わりに、フィールド故障は、部品の販売総数との関係で、稼働中の顧客システムで故障を起こすデバイスの数を測定します。
FIT率を評価する場合、上記の2つの指標（ELFとフィールド故障）が検討されます。これら2つの率の合致は、半導体メーカーの内部信頼性評価が正確であることを意味し、お客さまはデバイス性能の報告値に自信を持つことができます。
2019年1月、トランスフォームは3.1というフィールド故障FITを発表しました。その後2019年内に、フィールド故障FITは2.2に減少しました。そして本日、トランスフォームの1未満というフィールド故障FITは、現在の0.61というELF FIT率に近づき並び立っています2。
お客さまにとって、技術のELF統計を知ることは、保証請求を管理する上で不可欠です。 トランスフォームは、JEDECのJESD74A規格で規定されている標準的な業界慣行に従って初期故障率を測定しています。トランスフォームは保守的な結果を保証すべく、最大スパイク定格と適切な使用温度85度で当社のデバイスを試験します。JEDECの認定では初期故障率の試験を要求しているにもかかわらず、シリコンデバイスメーカーだけが一般的にその報告を行っており、GaNおよびSiCのほとんどのパワーエレクトロニクスメーカーは報告していません。
トランスフォームの品質・信頼性担当バイスプレジデントを務めるロン・バーは、次のように述べています。「私たちの知る限り、トランスフォームは現在、ELFを報告している唯一の高電圧GaN半導体企業です。私たちは、お客さまがワイドバンドギャップ技術を比較する際に確かな情報を必要としていることを理解しています。そこで、ここでは透明性を目指しています。また、正確性もですが、信頼性のデータが一般的でない種々の方法で計算され、操作されているものの、同じ指標タイプとして報告されることがよくあるからです。こうした傾向を踏まえ、当社の周知活動では、ビジネスクリティカルな指標を証明するために使用すべき適切な方法とその理由を説明することに重点を置いています。」
トランスフォームは、最も効果的なQ+R試験法と、結果を解釈するための方法を業界にお知らせすることで、お客さまがビジネスクリティカルな意思決定のための正確な信頼性データを確実に入手できるようにしています。詳細については、信頼性検査に関するトランスフォームの最新ビデオ（https://bit.ly/3mnMHbg）をご覧ください。
特に、ウェブサイトで公表しているトランスフォームの信頼性報告書は2020年末までに更新し、すべてのGenIIおよびGenIIIのGaN FETを対象にELF FIT率を掲載します。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）で当社をフォローしてください。
1 “SiC Enabling EV Applications,” Power Electronics News, https://www.powerelectronicsnews.com/sic-enabling-ev-applications/, April 12, 2019. （パワー・エレクトロニクス・ニュース、「EVアプリケーションを実現するSiC」）
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