米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の開発と製造におけるパイオニア企業であるトランスフォーム（OTCQB：TGAN）は本日、2番目の900 V GaN FETを現在生産中であると発表しました。TP90H050WSは標準オン抵抗が50ミリオーム、過渡スパイク電圧定格が1ミリボルトで、JEDEC準拠を達成したところです。一番の目標市場としているのが、太陽光発電インバーター、バッテリー充電、無停電電源装置、照明機器、エネルギー貯蔵などのアプリケーションを含め、広範な産業用・再生可能エネルギーです。さらに、トランスフォームは900 Vポートフォリオにより、3相アプリケーションを含むように電圧範囲を拡げているところです。当社の900 Vデバイスの性能に関する詳細については、トランスフォームのビデオをこちらでご覧ください。




昨年発表したTP90H050WSは、TP90H180PSに続く当社の2番目の900 Vデバイスです。この2チップのノーマリーオフ型パワートランジスターは、標準のTO-247パッケージで±20 Vのゲート堅牢性を実現し、電源システム向けの信頼性と設計性を向上させます。トランスフォームの高速GaNと熱的に堅牢なTO-247パッケージの組み合わせにより、システムはブリッジレストーテムポール力率補正（PFC）を備えた一般的なハーフブリッジ構成で99%超の効率を達成しながら、最大10 kWの電力を生成できます。



トランスフォームの技術マーケティング・北米販売担当バイスプレジデントを務めるPhilip Zukは、次のように述べています。「900 Vプラットフォームでのトランスフォームの活動は、高電圧窒化ガリウムパワートランジスターの能力を具体的に示すものです。このデバイスにより、私たちがこれまで利用できなかったアプリケーションをサポートする能力が得られます。これら50ミリオームFETのサンプル提供をしたところ、高い関心が寄せられました。その提供状況が量産に移行して顧客需要に応えられるようになったことを誇りに思います。」



900 V GaNの応用例



イリノイ工科大学（IIT）は現在、トランスフォームの最先端製品とIITの革新的なソリッドステートスイッチングトポロジーを独自に動員したARPA-E CircuitsプログラムでTP90H050WSを扱っています。このプロジェクトは、再生可能エネルギー用マイクログリッド向けに信頼性の高いソリッドステート回路遮断器（SSCB）を生み出すものです。900 VのGaNデバイスを使用して、自律稼働のプログラム可能でインテリジェントな双方向SSCBの開発を含みます。



IITのジョン・シェン博士は次のように説明しています。「私たちのSSCBプロジェクトには、従来とは異なる電力変換ソリューションとして、機械的な回路遮断器よりも速度的に上回るだけでなく、電力損失の低減にも役立つものが必要でした。トランスフォームのGaN技術は私たちの期待を凌駕していました。完璧な出来でした。電力密度が高く、信頼できる双方向性を備え、そして市場唯一の900 V GaNデバイスとして、小型パッケージで前例のない電力出力を達成したのです。」



900 V評価ボード



トランスフォームは一貫して、当社のDC-ACインバーター評価ボードにより、開発活動を簡素化しています。4個のTP90H180PS 170ミリオームFETを使用して設計したTDINV3500P100-KITは、フルブリッジトポロジーを採用して、100 kHz以上で動作する単相インバーターシステムをサポートします。



評価ボードと共に900 Vの両量産トランジスターが、デジキーとマウザーを通じ、下記リンクから入手できます。




トランスフォームについて



GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）で当社をフォローしてください。



本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。


Contacts


Heather Ailara

211 Communications

P: +1.973.567.6040

heather@211comms.com

情報提供元： ビジネスワイヤ
記事名：「 トランスフォームの2番目の900 V GaN FETが現在生産中 」