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最新世代プロセス「U-MOS X-Hシリーズ」80V耐圧製品は、従来世代プロセス「U-MOS VIII-Hシリーズ」80V耐圧製品と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン・ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性[注1]のトレードオフを改善[注2]しました。これにより、業界トップ[注3]の低損失を実現しました。
当社は、今後も損失を低減する製品のラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
応用機器
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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[注1] ゲート入力電荷量、ゲートスイッチ電荷量、出力電荷量
[注2] TPH2R408QMの場合、既存製品TPH4R008NH (U-MOS VIII-Hシリーズ) と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗xゲート入力電荷量を約15%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗xゲートスイッチ電荷量を約10%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗x出力電荷量を約31%改善。
[注3] 2020年3月30日現在。当社調べ。
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPH2R408QM
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TPN19008QM
当社の12V-300V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/lv-mosfet.html
オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
TPH2R408QM
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPN19008QM.html
*社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
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Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
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東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
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