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新製品GT20N135SRAは、既存製品[注1]と比べて、コレクター・エミッター間飽和電圧[注2]が1.75Vと約10%低減、ダイオード順電圧[注3]が1.8Vと約21%低減しました。これによりIGBTとダイオードともに高温時 (TC=100℃)の導通損失特性を改善しており、機器の省電力化に貢献します。さらに、既存製品[注1]と比べて、接合・ケース間熱抵抗が0.48℃/W(max)と約26%低減され熱設計が容易になっています。
また、新製品は機器の起動時に発生する共振コンデンサーの短絡電流の抑制をはかっており、短絡電流[注4]ピーク値は、新製品が129Aと既存製品[注1]と比べて約31%低減しています。あわせて、安全動作領域が広くなっており、既存製品[注1]と比べて設計が容易です。
応用機器
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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[注1] 当社既存製品「GT40RR21」
[注2] 当社実測値。2019年6月時点。(測定条件: IC=20A、VGE=15V、TC=100℃)
[注3] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: IF=20A、VGE=0V、TC=100℃)
[注4] 当社実測値。2019年6月時点。 (測定条件: VCC=300V、VGG=15V、C=0.33μF、t=5μs、Ta=25 ℃)
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
GT20N135SRA
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=GT20N135SRA
当社IGBT製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/igbt-iegt/igbt.html
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