東芝デバイス＆ストレージ(株)：小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。
さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x
0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。
また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。
応用機器
車載向け リレー、ソレノイド駆動用
産業向け リレー、ソレノイド駆動用
OA機器向け クラッチ駆動用
新製品の主な特長
周辺部品の削減が可能
3.0V低電圧動作
デュアルパッケージ品 (2 in 1)
AEC-Q101適合
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項目 | 特性 | |||||
絶対最大定格 | ドレイン・ソース間電圧
| 60 | ||||
ゲート・ソース間電圧
| ±12 | |||||
ドレイン電流
| 0.65 | |||||
電気的特性 | ドレイン・ソース間オン抵抗
| |VGS|=3.0V | 2400 | |||
|VGS|=5.0V | 1800 | |||||
ゲート入力電荷量
| 1.5 | |||||
入力容量
| 43 | |||||
パッケージ | TSOP6F | 2.9mm×2.8mm;t=0.8mm | ||||
当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
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