東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch
MOSFETドライバIC「TCK401G(アクティブハイ[注1])」及び、「TCK402G(アクティブロー[注2])」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。








新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス[注3]の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm,
t: 0.55mm(typ.))を採用しています。



用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された、外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。



例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。



応用機器




  • モバイル機器、コンシューマ機器



新製品の主な特長




  • 広い入力動作電圧:VIN _opr = 2.7V to 28V


  • 小型WCSP6Eパッケージ:0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ)


  • 過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵



























































































 


新製品の主な仕様




項目
(Ta=25℃)



 

TCK401G
(アクティブハイ)

 

TCK402G
(アクティブロー)

絶対最大定格

 

 

入力電圧 VIN (V)


40

電気的特性



入力動作電圧 VIN_opr (V)


2.7 to 28



入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA)
@ VIN=5 V


121



ゲートドライブ電圧
VGS typ (V)

 

VIN = 3 V


4



VIN = 5 V


6.5



VIN = 9 V


6.5



12V≦VIN≦28V


8.5



ゲートオン時間
tON typ (ms) [注4] @VIN=5V,
VGATE=6V, CGATE=2000pF


0.58

 

 

ゲートオフ時間
tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V,
VGATE=0.5V,CGATE=2000pF

 

16.6

 


[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2]
モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET
Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。



当社の電源用ICの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/linear/power-supply.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



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東芝デバイス&ストレージ株式会社
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e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp



情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝デバイス&ストレージ(株):業界最小クラスパッケージのモバイル、コンシューマ機器向けNch MOSFETドライバICの発売について