東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。








本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。



また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。



業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。



応用機器



・車載向け リレー、ソレノイド駆動用
・産業向け リレー、ソレノイド駆動用
・OA機器向け クラッチ駆動用



新製品の主な特長



・誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
・3.0V低電圧動作
・AEC-Q101適合











































































 


新製品の主な仕様



 

項目


(Ta=25℃)



 

特性

絶対最大定格

 

ドレイン・ソース間電圧


VDSS (V)




60


ゲート・ソース間電圧


VGSS (V)




±12


ドレイン電流


ID (A)




0.65

電気的特性



ドレイン・ソース
間オン抵抗



RDS(ON) max (mΩ)



 

|VGS|=3.0V


1200



|VGS|=5.0V


800


ゲート入力電荷量


Qg typ. (nC)




1.5


入力容量


Ciss typ. (pF)




43

パッケージ

 

SOT-23F

 

2.9mm×2.4mm;t=0.8mm

 


当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html



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情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝デバイス&ストレージ(株): アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について