東芝デバイス＆ストレージ(株): アクティブクランプ構造を採用したリレー駆動用小型MOSFETの発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したアクティブクランプ構造を採用したMOSFET「SSM3K357R」を製品化し本日から量産、出荷を開始します。

本製品により、誘導性負荷のインダクタンスから発生する逆起電力などの電圧サージから、ドライブ素子の破壊を防ぐことができます。

また、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

業界標準のSOT-23クラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適応により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

・車載向け リレー、ソレノイド駆動用
・産業向け リレー、ソレノイド駆動用
・OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

・誘導負荷に強いアクティブクランプ構造
・3.0V低電圧動作
・AEC-Q101適合

新製品の主な仕様
項目 (Ta=25℃)						特性
絶対最大定格		ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)				60
		ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)				±12
		ドレイン電流 ID (A)				0.65
電気的特性		ドレイン・ソース 間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)		|VGS|=3.0V		1200
				|VGS|=5.0V		800
		ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)				1.5
		入力容量 Ciss typ. (pF)				43
パッケージ		SOT-23F				2.9mm×2.4mm;t=0.8mm

当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

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