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(SO8L)のゲートドライバカプラ「TLP5832」を製品化し本日から出荷を開始します。
新製品はSO8Lパッケージを採用することにより、SDIP6やDIP8(LF1オプション)パッケージの当社従来製品と比較して製品高さをそれぞれ約54%に縮小しました。これにより実装高さに制限のある場所への搭載を実現し、セットの小型化にも貢献します。また小型ながら沿面・空間距離8mm
(最小)を確保し、高い絶縁性能を必要とする用途に適しています。
さらに、伝播遅延時間や伝播遅延スキューを動作温度定格全域(Ta =
-40℃~110℃)で規格化しています。設計において温度マージンを減らすことができるため、インバータ回路の高効率設計が可能です。
米大手ITアドバイザリ会社ガートナー社の最新レポートにおいて、当社は2015年から2016年にかけて、売り上げベースでシェアNo.1のフォトカプラメーカーと認定されました。また、そのレポートによると、当社は2016年に販売金額ベースで市場シェア23%を獲得しました。(出典:Gartner,
Inc. “Market Share: Semiconductor Devices and Applications, Worldwide,
2016” 30 March 2017)
当社は、市場動向に合わせた多様なフォトカプラ・フォトリレーの開発を推進することで、お客様のニーズに応える製品を届け続けます。
応用機器
• IGBT駆動
• 汎用インバータ
• 太陽光発電インバータ
• サーボアンプ
•
エアコンインバータ
新製品の主な特長
厚み2.3 mm低背薄型SO8Lパッケージを採用
沿面・空間距離:8
mm (最小)
寿命特性に優れたLEDを採用
高温動作定格:Topr = 110℃
ピーク出力電流定格:
IOPH, IOPL max= ±2.5A
新製品の主な仕様
| ||||
品番 | TLP5832 | |||
推奨動作条件
| ピーク出力電流
| ±2.5 | ||
電源電圧
| 15/30 | |||
電気的特性 | 供給電流
| 3 | ||
| 5 | |||
スイッチング特性 | 伝搬遅延時間
| 200 | ||
伝搬遅延スキュー
| -80/80 | |||
コモンモード除去電圧
| ±20 | |||
絶縁性能
| 絶縁電圧
| 5000 | ||
構造パラメータ | 空間距離 min
| 8.0 | ||
沿面距離min
| 8.0 | |||
絶縁物厚min
| 0.4 | |||
新製品のさらに詳しい仕様については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=TLP5832®ion=jp&lang=ja
東芝のフォトカプラ製品については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/opto/photocoupler.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
オプトデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3431
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝 ストレージ&デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
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