Agneto resistive RAM（MRAM）の市場規模は2030年に128億7820万米ドルに達し、年平均成長率（CAGR）62.2％で成長すると予測される
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2021年の磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は2億7,050万米ドルでした。磁気抵抗RAM（MRAM）の世界市場規模は、2022年から2030年までの予測期間中に62.2%の複合年間成長率（CAGR）で成長し、2030年には128億7820万米ドルに達すると予測されます。
磁気抵抗膜方式RAMは、磁気を利用してデータを保存する不揮発性RAMの一種で、磁気抵抗膜方式RAMとも呼ばれます。磁気抵抗RAMは、スタティックRAMとダイナミックRAMの好みが合体したものです。このデバイスは、電子的なものを改善するのに役立ち、大量のデータを保存して、従来の電子メモリよりも少ないバッテリー電力で、情報への迅速なアクセスを保証することをアシストします。
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市場成長に影響を与える要因
5Gの進歩によるユーザーエクスペリエンス向上のためのIoT導入の高まりとIT機器の接続が、世界市場の成長を促進すると予測されます。
次世代リードアクセスメモリ開発のための投資と研究の増加は、予測期間中の世界市場成長に有利な機会を提供すると予測されます。
ウェアラブル製品やフレキシブル電子製品の需要の高まりが、世界市場を牽引しています。これらの電子製品は、データの処理と保存のために柔軟な磁気メモリを必要とします。
電磁界インターフェースの問題を伴う高い設計コストが、市場全体の成長を鈍化させる可能性があります。
地域別インサイト
2021年の市場では、北米が優位を占めた。主要プレイヤーの存在と研究開発活動の高まりの結果です。また、計算の高速化、スケーラビリティの向上、消費電力の低減といった需要の高まりに対応するための重要なニーズが、同地域の市場成長を促進すると予測されます。
アジア太平洋地域は、予測期間中、市場において有利な成長を遂げると予測されています。アジア太平洋地域は、クラウドコンピューティングの普及とインターネットの利用拡大により、データセンターのインフラが整備され、進化した結果、市場規模が拡大しています。また、スマートフォンやウェアラブルエレクトロニクスの販売台数が増加していることも、同地域の市場成長を後押ししています。
主要な競争相手
磁気抵抗RAMの世界市場における主な競合他社は以下の通りです。
アバランシェ・テクノロジー
NVEコーポレーション
クアルコム・インコーポレイテッド
クロッカス・ナノ・エレクトロニクスLLC.
Everspin Technologies Inc.
HFCセミコンダクター株式会社
タワーセミコンダクター
ハネウェルインターナショナル
インフィニオン・テクノロジーズAG
インテル株式会社
サムスン電子 Ltd.
スピン・トランスファー・テクノロジーズ
ヌメム社
その他の著名なプレーヤー
報告書の範囲
磁気抵抗RAMの世界市場は、タイプ、提供、アプリケーション、地域によって区分されています。
タイプ別セグメンテーション
トグルMRAM
スピントランスファートルクMRAM
用途別セグメント
スタンドアロン
エンベデッド
アプリケーション別セグメント
コンシューマーエレクトロニクス
ロボティクス
エンタープライズ・ストレージ
自動車
航空宇宙・防衛
その他のアプリケーション
地域別セグメント
北アメリカ
米国
カナダ
メキシコ
欧州
西ヨーロッパ
英国
ドイツ
フランス
イタリア
スペイン
その他の西ヨーロッパ
東欧
ポーランド
ロシア
その他の東欧諸国
アジア太平洋地域
中国
インド
日本
オーストラリア・ニュージーランド
ASEAN
その他のアジア太平洋地域
中東・アフリカ（MEA）
UAE
サウジアラビア
南アフリカ
MEAの残りの地域
南米
ブラジル
アルゼンチン
南米のその他