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【画像 https://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000314087&id=bodyimage1】
「TPSMB非対称TVSダイオードシリーズ」は、従来のシリコンベースのMOSFETやIGBTに比べ高速スイッチングによる過電圧事象が発生しやすいSiC MOSFETゲートドライバに対して優れた保護機能を提供します。本シリーズのユニークな非対称設計は、SiC MOSFETの正負で異なるゲートドライバ電圧定格に対応しています。また、複数コンポーネントの必要性を排除することでエンジニアの設計作業を大幅に簡素化します。このコンパクトで信頼性の高い設計により、重要な自動車用電力システムが過電圧から確実に保護され、電気自動車やその他の高性能アプリケーションのさらなる進化を支えます。
■用途
車載充電器（OBC）、EVトラクションインバータ、I/Oインターフェース、VCCバス
上記用途では、SiC MOSFETゲートドライバの性能、耐久性、効率を最大化するため、高性能な過電圧保護（OVP）が必要不可欠です。
■特長
●単一コンポーネントによるSiC MOSFETゲートドライバ保護：複数のツェナーダイオードまたはTVSダイオードが不要になり、設計が合理化され、コンポーネント数が削減されます。
●非対称ゲートドライバ電圧保護：正負で異なる定格電圧を必要とするSiC MOSFETゲートドライバを保護するように設計されています。
●コンパクトな設計：DO-214AA （SMB J-Bend） パッケージで提供されるこのシリーズは、スペースに制約のある自動車の設計に最適です。
●車載グレードの品質：AEC-Q101適合のため車載用途で最高レベルの信頼性を確保します。
●高電力散逸：600Wピークパルス電力（10×1000μs波形）により、過渡的な過電圧事象から確実に保護します。
●低クランプ電圧：VC＜10V@30A（8/20μs）で、負のゲートドライバ保護を最適化します。
●広帯域安定性：最大2MHzの広い動作周波数範囲で安定した静電容量を維持するため、SiC MOSFETアプリケーションに最適です。
●主要SiC MOSFETとの互換性：市場をリードするリテルヒューズやその他の車載用SiC MOSFETとの使用に適しています。
■仕様
Pin out 1：K A
Pin out 2：A K
スタンドオフ電圧（VR K-A） （Vso）：15～28
ピークパルス電流（IPP K-A） 10x1000us （A）：13.3～24.6
最小ブレイクダウン電圧（VBR K-A @IT） （V）：16.7～31.1
最大ブレイクダウン電圧（VBR K-A @IT） （V）：18.5～34.4
クランピング電圧（VC K-A） （V）：24.4～42.5
最大逆リーク電流（Ir K-A and A-K @Vso） （μA）：1
スタンドオフ電圧（VR A-K） （Vso）：5～18
ピークパルス電流（IPP A-K） 10x1000us （A）：20.6～60
最小ブレイクダウン電圧（VBR A-K @IT） （V）：6.8～20
最大ブレイクダウン電圧（VBR A-K @IT） （V）：7.4～22.1
クランピング電圧（VC A-K） （V）：11.5～29.2
■入手方法
リテルヒューズ正規代理店にお問い合わせください。リテルヒューズの正規代理店は littelfuse.com でご確認いただけます。
■詳細情報
情報詳細については、「TPSMB非対称TVSダイオードシリーズ」の製品ページ
（https://www.littelfuse.com/products/overvoltage-protection/tvs-diodes/automotive-tvs-diodes/tpsmb-asymmetric）をご覧ください。
リテルヒューズについて
リテルヒューズは、持続可能でつながりのある、より安全な世界を実現する、電子部品製造会社です。全世界で 20 か国以上に 1 万 6,000 の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10 万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、毎日、あらゆる場所で利用されています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.com をご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
E-mail：Contact_Japan@littelfuse.com
配信元企業：Littelfuse, Inc.
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