製品紹介：https://players.brightcove.net/1799386164001/default_default/index.html?videoId=6364283985112
【画像 https://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000310319&id=bodyimage1】
本製品は、既存のリテルヒューズX4クラスウルトラジャンクション製品群を補完し、ポートフォリオを強化するものです。現行の最先端X4クラスMOSFETソリューションと比較して、最大2倍の電流定格と最大63%低いRDS（on）値を実現しています。
設計者は、本製品を用いることで並列に接続した複数の低電流定格デバイスを単一のデバイスに置き換えられます。これにより本製品は、ゲートドライバ設計の簡素化、信頼性の向上、電力密度の改善、およびPCBスペースの専有率の削減に貢献する画期的なソリューションとなります。
■用途
・バッテリーエネルギー貯蔵システム（BESS）
・充電器
・バッテリーフォーメーション
・DC・バッテリーロードスイッチ
・電源
■特長
・低伝導損失
・並列接続の労力を最小限に抑制
・ドライバ損失を最小限に抑え、ドライバ設計を簡素化
・熱設計の簡素化
・電力密度の向上
■オン状態の損失を最小限に抑えることが高く重視されるアプリケーションにおいて、なぜオン抵抗の小さいMOSFETが選ばれるのか？
オン抵抗（RDS（on））が小さいMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、オン状態での損失の最小化を特に重要視するアプリケーションにおいて理想的な選択肢となります。動作中の電力損失を大幅に削減し、伝導損失の低減、効率の向上、発熱の低減を実現します。このため、電源、モータードライバー、バッテリー駆動機器など、継続的な電力効率の維持と熱管理が必須で緻密な電力管理が求められるアプリケーションに理想的です。
■仕様
IXTN500N20X4
定格電圧（V）：200
ドレイン・ソース間電圧 VDSS（V）：200
オンステート抵抗 RDS（ON）、最大値 @ 25 ℃ （Ω）：1.99
ドレイン電流 ID@ 25 ℃（A）：500
ゲート電荷量 Qg（nC）：535
熱抵抗 RthJC（K/W）：0.13
構成：シングル
パッケージタイプ：窒化アルミニウムセラミックベース絶縁型 SOT-227B
入力容量 CISS（pF）：41500
公称逆回復時間 trr、TYP（ns）：250
許容損失 PD（W）：1150
AEC-Q101 適合：なし
最大ジャンクション温度TJ（°C）：175
IXTN400N20X4
定格電圧（V）：200
ドレイン・ソース間電圧 VDSS（V）：200
オンステート抵抗 RDS（ON）、最大値 @ 25 ℃（Ω）：3
ドレイン電流 ID@ 25 ℃ （A）：340
ゲート電荷量 Qg（nC）：348
熱抵抗 RthJC（K/W）：0.18
構成：シングル
パッケージタイプ：窒化アルミニウムセラミックベース絶縁型 SOT-227B
入力容量 CISS（pF）：27700
公称逆回復時間 trr、TYP （ns）：270
許容損失 PD （W）：830
AEC-Q101 適合：なし
最大ジャンクション温度TJ （°C）：175
■入手方法
リテルヒューズ正規代理店にお問い合わせください。リテルヒューズの正規代理店は littelfuse.com でご確認いただけます。
■詳細情報
詳細については、「ウルトラジャンクションX4クラスパワーMOSFETシリーズシリーズ」の製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-ultra-junction/x4-class.aspx）をご覧ください。
リテルヒューズについて
リテルヒューズは、持続可能でつながりのある、より安全な世界を実現する、電子部品製造会社です。全世界で 20 か国以上に 1 万 6,000 の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10 万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、毎日、あらゆる場所で利用されています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.com をご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuse ジャパン合同会社
E-mail：Contact_Japan@littelfuse.com
配信元企業：Littelfuse, Inc.
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