ams（日本法人：amsジャパン株式会社、東京都港区、カントリーマネージャー 岩本桂一）のフルサービス・ファウンドリ事業部は本日、同社の業界最先端を行く0.35um高電圧CMOS特殊プロセスプラットフォームをさらに拡充したことを発表しました。高電圧プロセスのエキスパートであるamsが提供する先進の「H35」プロセスには、面積や性能を大幅に改善する真の電圧拡張性を持つトランジスタが含まれています。
電圧拡張性を実現する高電圧NMOSおよびPMOSトランジスタデバイスは、20Vから100Vまでのさまざまなドレイン・ソース間電圧レベル（VDS）に応じて最適化され、オン抵抗を大幅に低減することで、占有面積の削減を実現できます。お客様は、既定の50Vトランジスタの代わりに、最適化された30V NMOSトランジスタを電源管理アプリケーションに使用することで、約50％の面積を節約できます。最適化された60V NMOSデバイスの場合は、標準の120V NMOSトランジスタと比べると22％の占有面積を節約できます。大型ドライバやスイッチングICなど、複雑な高電圧アナログ/ミックスドシグナルアプリケーションを開発するファウンドリカスタマは、ウェハあたりのダイ数増加というメリットを享受することができます。
占有面積が最適化されたデバイスは、自動車、医療、産業機器製品で使われるMEMSドライバ、モータドライバ、スイッチ、電源管理ICなどの幅広いアプリケーションに適しています。amsのフルサービス・ファウンドリ事業は、ファウンドリカスタマに対して世界で初めて、真の電圧拡張性を持つトランジスタの提供を開始しました。amsは自動車（ISO/TS 16949）および医療（ISO 13485）認証を取得しているため、最高品質を求めるお客様のニーズに対応します。
ams、フルサービス・ファウンドリ事業部門ジェネラルマネージャ、マーカス・ウクセのコメント：「世界で初めて真の電圧拡張性を持つデバイスを提供するファウンドリであることは、amsが特殊高電圧CMOSプロセスの開発および優れた製造サービスの提供における専門知識・技術を有しているという証です。amsのファウンドリチームは、先進の高電圧製品を生み出す製品開発者との協業を期待しています。当社のパートナーは、amsの高電圧プロセスに関するノウハウだけでなく、amsのベンチマークプロセス・デザインキットであるhitkitも利用することで、占有面積やオン抵抗に対して高電圧集積回路を最適化し、ウェハあたりのダイ数増加を実現することができます」
この最新の高電圧プロセスの拡充は、当社の「More Than Silicon（シリコンを超える）」ポートフォリオである、amsが提供するテクノロジモジュールのパッケージ、知的財産（IP）、セルライブラリ、エンジニアリングに関するコンサルティングやサービスを拡張するものとなり、amsの専門技術をベースに、お客様による先進的なアナログやミックスドシグナル回路設計の開発を成功に導きます。
既にご登録されているお客様は、デバイスレイアウトジェネレータ（PCell）、シミュレーションモデル、CalibreやAssuraの検証ルールデッキ、並びに設計ルールやプロセスパラメータ文書などの資料を含む、電圧拡張性を持つトランジスタ一式を当社の安全なファウンドリサポート・サーバhttp://asic.ams.comからダウンロードできます。
フルサービス・ファウンドリの総合的なサービスおよび技術ポートフォリオに関する詳しい情報は、こちらのサイトをご覧ください。www.ams.com/foundry.
ams広報担当：神谷
Tel: 03-5269-1038 Email: ams@jspin.co.jp
