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東芝：PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した2:1 マルチプレクサー/1:2デマルチプレクサースイッチの発売について


～産業用途に適した125°C対応製品～

川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、PCIe® 6.0[注1]やUSB4® Version 2.0[注2]などの次世代高速インターフェースに対応した、2:1マルチプレクサー （Mux）/ 1:2デマルチプレクサー（De-Mux）スイッチ「TDS5C212MX」および「TDS5B212MX」 を製品化しました。本製品は、本日より出荷を開始します。






近年、サーバーや産業用テスター、ロボット、PCなどでは、PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0に代表される超高速・広帯域な差動信号を、限られた基板スペースの中で高信頼に切り替えるニーズが高まっています。新製品は、こうしたニーズに応えるため、当社独自のSOIプロセス（TarfSOI™）[注3]を採用することで、TDS5C212MXでは業界トップクラス[注4]となる-3dBバンド幅（差動）34GHz（typ.）、TDS5B212MXでは29GHz（typ.）を実現し、高速通信時の信号波形の歪みを大幅に抑制し、高速通信時の信頼性向上に貢献します。


これらの特長により、PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号用途で、2入力1出力のMuxスイッチ、または1入力2出力のDe-Muxスイッチとして使用できます。1つの高速インターフェースを複数の機器で共有したり、用途に応じて信号経路を切り替えたりすることが可能です。


さらに、TDS5C212MXおよびTDS5B212MXは、高周波特性に適した端子配置を採用しています。特にTDS5C212MXでは、信号経路を最短化することで反射や損失を抑え、高速信号の品質向上を図っています。また、動作温度範囲は-40°Cから125°Cまで対応しており、産業用途にも使用可能です。


当社は今後も、高速インターフェースの進化に対応した高性能・高信頼性のアナログスイッチ製品の開発を通じて、次世代システムの実現に貢献していきます。











[注1]　


PCI-SIGが策定する次世代インターフェース規格。PCIe® 5.0と比較して転送速度を2倍の64 GT/sに向上。


[注2]　


USB‑IFが策定するインターフェース規格で、最大80 Gbpsの高速データ転送に対応。


[注3]　


TarfSOI™ (Toshiba advanced RF SOI)：当社が高周波半導体用に独自に開発したSOI-CMOS (Silicon On Insulator-Complementary Metal Oxide Semiconductor) フロントエンドプロセス。


[注４]　


2:1 Mux / 1:2 De-Muxスイッチとして。2026年5月時点、当社調べ。


応用機器



  • 産業用テスター、ロボット


  • PC、サーバー、モバイル機器、ウエアラブル端末など


対応インターフェース：



  • PCIe® 系列：PCIe 6.0 / 5.0 / 4.0 / 3.0


  • CXL 系列：CXL 3.0 / 2.0 / 1.0


  • USB 系列：USB4® Version 2.0 / USB4® / USB3.2 Gen2×1 / Gen1×1


  • Thunderbolt™ 系列：Thunderbolt 5 / 4 / 3 / 2


  • DisplayPort™ 系列：DisplayPort 2.0 / 1.4 / 1.3 / 1.2


新製品の主な特長



  • PCIe® 6.0やUSB4® Version 2.0などの高速差動信号に対応した高い-3dB バンド幅（差動）

    TDS5C212MX：-3dB バンド幅 (差動) =34GHz (typ.)

    TDS5B212MX：-3dB バンド幅 (差動) =29GHz (typ.)


  • 動作温度範囲：-40～125°C


新製品の主な仕様
































































品番


TDS5C212MX


TDS5B212MX


パッケージ


名称


XQFN16


サイズ (mm)


2.4×1.6 (typ.)、t=0.4 (max)


動作範囲


(Ta=-40～125°C)


電源電圧 VCC (V)


1.6～3.6


差動信号電圧 (peak to peak) VI/O(Diff) (V)


0～1.8


コモン信号電圧 VI/O(Com) (V)


0～2.0


DC特性


(Ta=-40～125°C)


消費電流 Iope (μA)


VS = 0V


Typ.


70


高周波特性


(Ta=25°C)


-3dB バンド幅 (差動) BW(Diff) (GHz)


Typ.


34


29


差動挿入損失


DDIL (dB)


f=5.0GHz


Typ.


-0.7


-0.7


f=8.0GHz


-0.8


-0.8


f=10.0GHz


-0.9


-0.9


f=12.8GHz


-1.1


-1.1


f=16.0GHz


-1.2


-1.2


差動反射損失


DDRL (dB)


f=5.0GHz


Typ.


-21


-20


f=8.0GHz


-24


-20


f=10.0GHz


-21


-19


f=12.8GHz


-20


-20


f=16.0GHz


-14


-15


差動オフ・アイソレーション


DDOIRR (dB)


f=5.0GHz


Typ.


-33


-36


f=8.0GHz


-27


-29


f=10.0GHz


-25


-26


f=12.8GHz


-24


-26


f=16.0GHz


-24


-27


差動クロストーク


DDXT (dB)


f=5.0GHz


Typ.


-41


-41


f=8.0GHz


-37


-37


f=10.0GHz


-35


-35


f=12.8GHz


-33


-33


f=16.0GHz


-31


-31


在庫検索 ＆ Web少量購入


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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。


TDS5C212MX
TDS5B212MX


当社の汎用ロジックIC製品の詳細については下記ページをご覧ください。


汎用ロジックIC


オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。


TDS5C212MX

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TDS5B212MX

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*USB4®は、USB Implementers Forumの登録商標です。

*Thunderbolt™は、Intel Corporationあるいはその子会社の商標です。

*DisplayPort™は、米国及びその他の国でVideo Electronics Standards Association (VESA®) が所有する商標です。

*PCIe®はPCI-SIGの登録商標です。

*TarfSOI™は、東芝デバイス＆ストレージ株式会社の商標です。

*その他の社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

*本資料に掲載されている情報 (製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など) は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


Contacts


お客様からの製品に関するお問い合わせ先：

アナログデバイス営業推進部

Tel: 044-548-2219

お問い合わせ


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社

半導体広報・予測調査部

長沢

e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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