川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、当社最新世代プロセス[注1]「U-MOS11-H (ユー・モス・イレブン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH2R70AR5」を製品化し、本日から出荷を開始します。
100V系U-MOS11-Hシリーズは、当社従来世代プロセスU-MOSX-Hシリーズ に対し、ドレイン・ソース間のオン抵抗 (RDS(ON)) ならびにゲート入力電荷量 (Qg) とそのトレードオフ (RDS(ON)×Qg) を改善し、導通時とスイッチング時の両方の電力損失を低減しています。
新製品のTPH2R70AR5は、U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、RDS(ON)を約8%、Qgを約37%、RDS(ON)×Qgを約42%改善しています。
また、TPH2R70AR5はライフタイム制御技術[注2]の適用によりボディーダイオードを高速化することで、逆回復電荷量 (Qrr) およびスパイク電圧を低減しました。U-MOSX-HシリーズのTPH3R10AQMに対し、Qrrを約38%、RDS(ON)×Qrrを約43%改善しています。
これら業界トップクラス[注3]のRDS(ON)×Qg、RDS(ON)×Qrrトレードオフ特性[注4]により、低損失を実現し、電源の高効率化、高電力密度化に貢献します。
なお、パッケージには、業界での実装互換を重視したSOP Advance(N)を採用しました。
回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるG0モデルのSPICEモデルに加えて、過渡特性の精度を高めたG2モデルのSPICEモデルも提供します。
当社は今後も、電源の効率を高めることができる低損失のMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献していきます。
[注1] 2025年9月時点、当社の低耐圧パワーMOSFET向けプロセスにおいて。当社調べ。
[注2] イオンビームを利用して半導体内部に意図的に欠陥を生成し、キャリアーライフタイムを短縮することで、デバイスのスイッチング速度を高速化します。これにより、ダイオードのリカバリー速度が向上し、ノイズが低減されます。
[注3] 2025年9月時点、産業機器向け100V耐圧NチャネルパワーMOSFETにおいて。当社調べ。
[注4] RDS(ON)×Qg：120mΩ・nC (typ)、RDS(ON)×Qrr：127mΩ・nC (typ)
応用機器
データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源
新製品の主な特長
低いドレイン・ソース間オン抵抗 : RDS(ON)＝2.7mΩ (max) (VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)
低いゲート入力電荷量 : Qg=52nC (typ.) (VDD=50V、VGS=10V、ID=50A、Ta＝25°C)
低い逆回復電荷量 : Qrr=55nC (typ.) (IDR＝50A、VGS=0V、-dIDR/dt=100A/μs、Ta＝25°C)
| 新製品の主な仕様 | ||||
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH2R70AR5
当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。
MOSFET
高精度SPICEモデル(G2モデル)の詳細については下記ページをご参照ください。
G2モデル
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TPH2R70AR5
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