革新的なスケーリングとウエハーボンディング技術で実現
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --キオクシア株式会社は、第8世代BiCS FLASH™3次元フラッシュメモリ技術を適用した2Tb（テラビット） QLC（Quad-Level-Cell、4ビット/セル）製品のサンプル出荷[注1]を本日より開始しました。業界最大容量[注2]となる2Tb QLC製品は、AI（人工知能）向けを始め、様々なアプリケーションにおいて新たな容量帯の実現を可能とし、拡大するデータ需要に応えます。
第8世代BiCS FLASH™は、いくつかの独自プロセスと革新的なアーキテクチャーを導入し垂直方向と平面方向のスケーリングを実現しています。また新たに導入したCBA（CMOS directly Bonded to Array）[注3]技術により、ビット密度の向上と3.6Gb/秒[注4]の高速なインターフェースを実現しています。これらの先端技術をQLC製品に適用することで、業界最大容量となる2Tbを実現しました。
2Tb QLC製品は当社における最大容量の従来製品である第5世代のQLC製品と比較して、ビット密度が約2.3倍、書き込み電力効率は約70%と大幅に向上します。また、2Tbのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することにより、1パッケージあたり業界最大容量となる4TB（テラバイト）の容量を実現します。パッケージのサイズは11.5 x 13.5mm、高さは1.5mmです。
米国ピュア・ストレージ社の最高経営責任者であるCharles Giancarlo (チャールズ・ジャンカルロ)は次のように述べています。「当社はキオクシアと長年に渡る関係を築いており、第8世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品を導入することで、当社のオールフラッシュアレイストレージソリューションの性能と効率を強化できることをうれしく思います。当社の統合データストレージプラットフォームは、バックストレージの積極的な低コスト化と同様に、人工知能向けの厳しいニーズに応えることが可能です。キオクシアの技術に支えられ、当社は比類のないパフォーマンス、電力効率、信頼性を提供し、顧客に卓越した価値をもたらし続けます。」
キオクシアの技術統括責任者である宮島秀史は次のように述べています。「第8世代BiCS FLASH™の新技術を適用した2Tb QLCのサンプル出荷を迎えたことを大変喜ばしく思います。本製品は、差異化された容量と共に高速なデータ転送、優れた電力効率を兼ね備え、急速に台頭するAIアプリケーションや、省電力、省スペースが求められる大容量ストレージ・アプリケーションに新たな価値を提供します。」
また、2Tb QLC製品と比較してライト・リード性能を強化した1Tb QLC製品もラインアップします。強化内容としては、シーケンシャルライト性能を約30%高速化、読み取りレイテンシーを約15%改善します。1Tb QLC製品は、クライアントSSDやモバイル機器など、高い性能を要求するアプリケーション向けに展開します。
キオクシアは、データストレージの急速な成長に対する将来のニーズを見据え、価値ある製品の開発を続けていきます。
注1 これらのサンプルは製品評価を目的としており、量産品とは仕様が異なる場合があります。
注2 2024年7月3日現在。キオクシア株式会社調べ。
注3 ウエハーボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウエハーとメモリセルアレイのウエハーを貼り合わせる技術
注4 1Gbpsを1,000,000,000 ビット/秒として計算しています。キオクシアの試験環境で特定の条件により得られた値であり、ご使用条件などによって変化します。
＊製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様を確認ください。（メモリ容量は１TBを1,099,511,627,776バイトとして計算しています。）
＊リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
*記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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本資料に関するお問い合わせ先：
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