トランスフォームがNASDAQキャピタル・マーケットに市場替えへ

ティッカーシンボル「TGAN」での取引が2022年2月22日から始まる予定

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性高性能窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニアで世界的サプライヤーのトランスフォーム（OTCQX：TGAN）は本日、普通株式のNASDAQキャピタル・マーケットへの上場が承認されたと発表しました。

NASDAQでの取引は、2022年2月22日の開場時から始まることが予想され、株式はティッカーシンボル「TGAN」での取引が継続します。当社株式は、NASDAQでの取引が始まるまで、OTCQXでの取引が続けられます。この市場替えの結果として株主が何らかの行動を取る必要はありません。

この発表に関して、トランスフォーム社長で共同創立者のPrimit Parikhは、次のように述べています。「NASDAQへの市場替えはトランスフォームにとって重要な成果であり、世界有数のGaN企業を構築するためのトランスフォームのチームの献身と努力、そして大切なお客さまやパートナーの強力なお力添えを証明するものでもあります。この市場替えは、資本市場でのトランスフォームの認知度を高めることになり、世界各地の機関投資家の参加が拡大するだけでなく、株式の取引高という流動性も高まることになるはずです。」

トランスフォームの共同創立者でCTOのUmesh Mishraは、このように語りました。「この成果と評価は、GaNとトランスフォームのどちらにとっても節目となるものです。GaNにおける世界をリードする当社のイノベーションと1000件を超える特許を含む確かなIPポートフォリオにより、当社は、GaN電力変換の誇り高い世界的リーダーとなっています。この分野は、GaN LEDとGaN RFトランジスタに次ぐGaNの大規模市場です。」

GaNが選ばれる理由：

電力変換は、電気エネルギーが一つの形から別の形へと変換されるところでどこでも見られるものですが、そのプロセスは本質的に損失を伴い、エネルギーが無駄になっています。それは、携帯機器やノートパソコンの充電器でも、電気自動車のドライブトレインや充電器でも、蓄電池へのエネルギーの蓄積や取り出しでも、再生可能エネルギーでも、モーション・コントロールやロボティクスでも同じです。基礎の面で優れた電気エネルギー貯蔵が可能でシステムの大きさや重量を減らす可能性を持つGaNパワー半導体は、急速に、数十億ドル規模のパワー半導体産業の現在と未来を担う存在になっており、シリコンやシリコンカーバイドのようなこれまでの材料を置き換えています。

TGANが優勢になる理由：

トランスフォームが特許を有するGaNプラットフォームは、45ワットの急速充電器やACアダプターから4キロワットのゲーミングやデータセンターのサーバー、暗号マイニング、産業用電源、さらには再生可能エネルギーから高電力の自動車用コンバーターやインバーターのアプリケーションなど、数十キロワット・クラスまで、電力変換アプリケーションのパフォーマンス要件にとって重要な形で競合ソリューションと差別化されています。トランスフォームは、垂直統合されている数少ない高電圧GaNメーカーの1社として、イノベーションによるGaN FET設計、エピタキシャル・ウエハ（中心的な出発原料）、製造プロセスで支配的立場にあります。これは、トランスフォームの次のような成果につながっています。

• 暗号マイニング、ゲーミング、データサーバー、産業用・再生可能エネルギー用アプリケーションを含む高電力製品での優勢。実績ある主要GaNサプライヤーとして、市場にキロワット・クラスの製品を供給し、エネルギー面と環境面で大きな貢献をしています。2022年だけでもTGAN高電力製品で5万メートルトンを超える炭素排出削減が見込まれます。
• 低電力のアダプターや急速充電器の継続的成長。高速GaN性能にシリコンライクな設計の容易さが備わっています。
• クラス最高の品質＋信頼性と大量安定生産性、そして自動車Q101適格な製品ポートフォリオ。
• アセットライトな統合モデルによる力強い製造フットプリント。

さらに、当社は最近、製品売上高が8四半期連続での前四半期比成長を達成したことを発表しました。前年比では220%の成長となり、四半期として過去最高の360万ドルに達しました。45 Wから300 Wの電力アダプターと急速充電器のアプリケーションのためのSuperGaN® Gen IV FETは2021年12月に100万個以上出荷されました。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。トランスフォームの垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

将来見通しに関する記述

このプレスリリースには、市場替えがトランスフォームの資本市場での認知度を高め、投資家の参加が増加し、当社株式の取引高という流動性が増加することへの期待や当社の市場での地位に関する将来見通しに関する記述（1934年米国証券取引所法の第21E条（改正を含む）および1933年米国証券法の第27A条（改正を含む）の意味）が含まれています。将来見通しに関する記述は一般に、本質的に予測的であり、将来の出来事や条件に依存または言及する記述を含んでおり、「かもしれない」、「するつもりである」、「はずである」、「であろう」、「予測する」、「計画する」、「信じる」、「意図する」、「期待する」などの語句や、その他の類似表現を含みます。歴史的事実でない記述は将来見通しに関する記述です。将来見通しに関する記述は、リスクや不確実性の影響を受ける現在の見解や仮定に基づいており、今後の業績を保証するものではありません。実際の結果は、さまざまな要因の結果として、将来見通しに関する記述に含まれる内容と大きく異なる場合があります。これらの要因には、追加の資金需要や資本へのアクセス、競合、トランスフォームがその知的財産権を保護する能力、競争、2022年2月11日に提出されたフォーム10-Qによる当社の四半期報告書など、米国証券取引委員会へ当社が提出した書類に記載されたその他のリスクなど、トランスフォームの事業に関連するリスクなどがあります。適用法で要求される場合を除き、当社は新しい情報、将来の出来事、その他の結果にかかわらず、いかなる将来見通しに関する記述についても修正ないし更新したり、その他の何らかの将来見通しに関する記述を行なったりする義務を負いません。

SuperGaNのマークはトランスフォームの登録商標です。その他すべての商標は、それぞれの所有者の財産です。

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