トランスフォームがマイクロチップのデジタル信号処理技術を搭載したトーテムポール評価ボードの2つ目をリリース

2021年12月01日 14:40:00
マネー
ビジネスワイヤ

2.5kWの評価ボードは、交換可能なドーターカードに新しいSuperGaN® Gen IV D2PAK FETを採用し、異なる電力レベルへの迅速なアクセスを実現

トランスフォーム米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム (OTCQX: TGAN)は本日、マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号処理技術を使用した当社設計ツールの拡張を発表しました。TDTTP2500B066B-KITは、2.5kWのAC-DCブリッジレストーテムポール力率改善(PFC)評価ボードです。トランスフォームのSuperGaN® FETとマイクロチップのdsPIC33CKデジタル信号コントローラー（DSC）ボードを組み合わせたもので、エンドアプリケーションの要求に応じて簡単にカスタマイズできるファームウエアがあらかじめプログラムされています。この新しいボードを使用することで、データセンターや幅広い産業用電源の開発が迅速化されます。

新デバイス+新機能=開発機能の向上

TDTTP2500B066B-KITは、トランスフォームの最新のSuperGaN Gen IVデバイスであるTP65H050G4BSを使用したドーターカードと共に既製品として提供します。TP65H050G4BSはTO-263（D2PAK）に搭載された650V SMD SuperGaN FETで、標準オン抵抗は50ミリオームとなっています。

また、この新評価ボードには、使い勝手を向上させる先進機能として、トランスフォームのGaNデバイスを搭載したドーターカードを交換できる機能が搭載されています。これにより、設計技術者は別売りのドーターカードであるTDHB-65H070L-DCを2つ目のオプションとして使用することで、72ミリオームのオン抵抗を持つTP65H070LDG/LSG GaNデバイスの評価もできます。このドーターカードは、50ミリオームのFETカードに代わるドロップインタイプです。

初のSuperGaN/Microchip DSC評価ボード（4kW TDTTP4000W066C-KIT）と同様に、2.5kWボードもファームウエア開発支援でマイクロチップの世界的な技術サポートチームにアクセスできます。

マイクロチップのMCU16事業部門バイスプレジデントを務めるジョー・トムセン氏は、次のように述べています。「当社はトランスフォームと継続的に連携することで、成長するGaN電力変換市場に革新的なパワーエレクトロニクスソリューションをもたらしています。マイクロチップは、スマートな統合ソリューションによって技術的変化をリードすることに大きな投資をしています。当社のデジタルシグナルプロセッサーの性能と柔軟性は、GaNベースの電力変換アプリケーションの厳しい要件にうってつけです。」

マイクロチップのdsPIC® DSCは、限られた専門知識しかない開発者でも、その力を高めることができるよう、一連の組み込み設計ツールでサポートされています。これらのツールは、マイクロチップの無償統合開発環境MPLAB® Xでデバイスを初期化するための直感的なグラフィックユーザーインタフェースを提供します。これらのソフトウエアツールを補完する形で、プログラマー、デバッガー、エミュレーターのためのアクセサリも幅広くそろえています。

技術仕様

トランスフォームのTDTTP2500B066B-KITに採用されているDSC統合ソリューションの特徴は下記の通りです。

650V 50mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)

入力電圧：85V_AC～265V_AC、47Hz～63Hz

入力電流：18Arms、115V_ACで1250W、230V_ACで2500kW

出力電圧：390V_AC±5V_AC（プログラム可能）

デッドタイム：プログラム可能

PWM周波数：66kHz

力率：>0.99

このボードは、PFCパワートレインを制御するマイクロチップのdsPIC33CKデジタルパワープラグインモジュール（PIM）を中心に設計されており、下記のPIM機能があらかじめプログラムされています。

マイクロチップのAEC-Q100準拠dsPIC33CK256MP506デジタル信号コントローラー

タイムクリティカルな制御アプリケーションで高速の決定論的性能を実現する100MIPS

デュアルフラッシュパネルにより、電力供給中にコードのライブアップデートを実現

高いアナログ集積度により、BOMコストの削減とシステムサイズの最小化を実現

解像度が250psのPWM

dsPIC33CK PIMのファームウエアップデートは、マイクロチップのウェブサイトからダウンロードできます。

トランスフォームの世界技術マーケティング・事業開発担当シニアバイスプレジデントであるPhilip Zukは、次のように述べています。「当社は、設計上の課題を取り除き、開発を簡素化し、市場投入を迅速化することで、お客さまがGaNプラットフォームの利点を容易に活用できるようにしています。マイクロチップの洗練されたDSC機能を統合することは、この目標にとって極めて重要です。当社は、GaNが提供する価値提案が最高となり、最も一般的に求められる電力段を、2つの出力レベルで、事前プログラム済みファームウエアと交換可能なGaNデバイス構成と共に、提供できるようになりました。」

提供について

TDTTP2500B066B-KITは、ディジ・キーとマウザーで提供しています。

トランスフォームの70ミリオームFETの評価に興味のあるお客さまは、TDHB-65H070L-DCドーターカードをこちらからご注文いただけます

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者の財産です。

本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。