TDTTP4000W065ANがより簡易な設計でSuperGaN™ FETの性能を活用
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ）-- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（OTCQB：TGAN）は本日、当社最新の評価ボードとなるTDTTP4000W065ANの提供開始を発表しました。最大4キロワット（kW）の単相AC-DC電力変換用に設計されたこのボードは、ブリッジレストーテムポール力率補正（PFC）トポロジーを、従来のアナログ制御と共に使用しています。この組み合わせにより、デジタル信号コントローラー（DSC）を使用する際に必要なファームウエアを開発することなく、トランスフォームの最新のSuperGaN™ FETによって実現する最高レベルの変換効率を、迅速かつ容易に利用できるようになります。
RDDRでGaN採用を後押し
トランスフォームの高電圧GaNプラットフォームおよび関連設計ツールは、そのイノベーションパスにおいて、クラス最高のGaN信頼性、設計容易性、駆動容易性、量産時の再現性（RDDR）の実現を中心に据えています。こうした目的で、TDTTP4000W065ANは電力システムエンジニアに、スーパージャンクションMOSFETを使用した標準的CCMブーストPFC設計よりも、優れた効率を提供します。
評価キットの定格はハイラインで4kW（180〜260 V）、ローラインで2kW（90〜120V）です。このアナログ・トーテムポール・ソリューションの主な利点は、下記の通りです。
保守電力は、電源投入やチップセットの電力供給など、基本的機能をサポートするために必要な電力ですが、どのようなシステムでもその量は比較的一定しています。そのため、アプリケーションの電力レベルが低下するにつれ、保守電力がシステム全体の電力損失で占める割合が増加します。DSPソリューションと比べた場合、トランスフォームのアナログボードは電源投入時に必要な保守電力が低いため、全体的なシステム効率を向上できます。
DSPファームウエアのプログラミングは不要で、標準的CCMブーストAC-DC PFCの電力段に適しています。
トランスフォームは今年既に、より柔軟な設計が必要なエンジニアのためにTDTTP4000W066Cをリリースしました。このDSCベースの4kW AC-DCボードも、当社のSuperGaN FETを搭載したブリッジレストーテムポールPFCを使用しています。しかし、マイクロチップ製のプログラム済みdsPIC33CK DSCボードを統合し、専用ファームウエアのサポートによって支えられています。
トランスフォームの世界技術マーケティング・北米販売担当バイスプレジデントを務めるPhilip Zukは、次のように述べています。「トランスフォームのアナログ評価ボードは、当社の高効率GaNを可能な限り簡単な方法で利用できる前例のない機会を提供します。これまでのデジタルボードとよく似て、高電圧デバイス市場に以前は欠けていた選択肢を、電力システムのエンジニアに提供します。エンドアプリケーションが目指す価値提案に関係なく、当社は多様なツールセットと可能な限り最も堅牢なGaNを提供して、お客さまの成功を支援します。」
SuperGaNデバイス：スーパージャンクションMOSFETを超える性能
TDTTP4000W065ANは、トランスフォームの第4世代SuperGaNとなるTP65H035G4WS FET をボードの高速スイッチングレッグに、低抵抗シリコンMOSFETを低速スイッチングレッグに採用しています。その結果、デジタル制御の対応製品であるTDTTP4000W066Cと同様の性能が実現します。
TP65H035G4WSは、TO-247スルーホールパッケージを採用し、オン抵抗が35ミリオームの650ボルトデバイスであり、本質的に高い放熱能力を備えています。この機能により、競合する表面実装のGaNソリューションで高出力化のために必要な設計手法であるデバイス並列化が不要になります。そして、ほかのすべてのトランスフォームのGaNデバイスと同様に、このSuperGaN FETは、4ボルトのしきい値電圧（Vth）と、0〜12ボルトで動作する市販の標準的ゲートドライバーで駆動できます。
提供について
TDTTP4000W065AN評価ボードは現在、デジキーとマウザーを通じて提供しています。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）で当社をフォローしてください。
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