小型で堅牢な絶縁タイプの SiC MOSFET ドライバにアクティブ クランプと 2 µsec 以下の短絡ターンオフ時間を採用
カリフォルニア州サンノゼ発--(BUSINESS WIRE)--中~高電圧インバータ アプリケーション向けゲートドライバ技術で業界をリードする Power Integrations (Nasdaq: POWI) は本日、シリコン カーバイド (SiC) MOSFET 用の高効率でシングルチャネルのゲート ドライバ、SIC118xKQ SCALE-iDriver™ が車載用途のための AEC-Q100 認定を取得したことを発表しました。これらのデバイスは、一般的に使用される SiC MOSFET のゲートドライブ電圧要件と、高度な安全性及び保護機能をサポートするように構成することが可能です。
SIC1182KQ (1200 V) 及び SIC1181KQ (750 V) SCALE-iDriver デバイスは、自動車用アプリケーションにおいて SiC MOSFET を駆動するために最適化されており、レイルツーレイル出力、高速ゲートスイッチングスピード、単一電源からのプラス/マイナス出力電圧、内蔵パワー、電圧管理及び強化絶縁を実現します。重要な安全機能には、ドレイン - ソース間電圧 (VDS) 監視、センス機能、一次及び二次低電圧ロックアウト (UVLO)、電流制限ゲート ドライブ、及び障害状態での安全な動作とソフト ターンオフを容易にするアドバンスト アクティブ クランプ (AAC) があります。AAC と VDS 監視を組み合わせることで、短絡時に 2 µs 未満の安全なターンオフを可能にします。ゲートドライブ制御と AAC 機能により、ゲート抵抗を最小にすることができます。これによりスイッチング損失が軽減され、インバータの効率を向上させます。
Power Integrations は、SCALE-iDriver 制御と安全機能を高速 FluxLink™ 通信技術と組み合わせることで、オプトタイプやコンデンサタイプ、シリコンによる絶縁磁気カプラと比較して、ゲートドライバ IC 技術に革新をもたらしています。この組み合わせにより絶縁能力を大幅に向上させ、外部部品数の極めて少ない最大 300 kW のインバータにおいて、安全、かつ、コスト効率の高い設計を可能にします。
Power Integrations の自動車用ゲート ドライバ製品のシニア マーケティング ディレクターである Michael Hornkamp は次のように述べています。「シリコン カーバイド MOSFET 技術は、自動車用インバータ システムの小型化と軽量化を可能にします。スイッチング速度と動作周波数は上昇しており、当社の低いゲート抵抗値はスイッチング効率を保持し、高速短絡応答時間は異常状態が発生した場合のシステムの迅速な保護に有効です。」
「さらに、SCALE-iDriver は機能安全に対する絶縁の堅牢性に新しい基準をもたらします。パワーデバイスが原因で重大なドライバの故障が発生した場合でも、SCALE-iDriver の絶縁は損傷することなく、筐体が致命的な高電圧に曝されることはありません。」と Hornkamp は続けます。
この新しいシングル チャンネルの SIC118xKQ ゲート ドライバは、最大 8 A を提供し、+15 V からの標準ゲートエミッタ電圧、-3 V から -15 V のさまざまな負バイアスのSiC MOSFETに適しています。これらのデバイスには、外部磁界耐性が高く、9.5 mm 以上の沿面及び空間距離 (CTI レベルが最高の材料 (CTI =600/IEC 60112) を使用した場合)を提供する、小型 eSOP パッケージを採用しています。デバイス単価は、10,000 個単位でのご注文の場合 $5.39 です。技術情報は、Power Integrations のウェブ サイト (http://www.power.com/products/scale-idriver-ic-family/sic118xkq/) をご覧ください。
Power Integrations について
Power Integrations, Inc. は、高耐圧電力変換用半導体技術で業界をリードする革新的企業です。Power Integrations の製品は、クリーン電源エコシステムに欠かせない要素になっており、再生可能エネルギーの生成を可能にするとともに、ミリワットからメガワットに及ぶ用途で効率的な電力伝送と電力消費を実現します。詳細は、www.power.com をご覧ください。
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